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IDW75E60数据手册分立半导体产品的二极管-整流器-单规格书PDF

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厂商型号

IDW75E60

参数属性

IDW75E60 封装/外壳为TO-247-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE GEN PURP 600V 120A TO247-3

功能描述

Silicon Power Diode
DIODE GEN PURP 600V 120A TO247-3

封装外壳

TO-247-3

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-8-6 23:00:00

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IDW75E60规格书详情

描述 Description

The 600 V, 75 A emitter controlled silicon power diode in a TO-247 package has been primarily designed for motor drive applications up to 30kHz.

特性 Features

• Lowest VFvalues
• Softest diodes available on the market
• Tj (max)of 175°C
• Qualified according to JEDEC Standard
• Cooler packages and higher efficiency
• Excellent EMI behavior
• Excellent trade- off between cost and performance
• Low conduction losses
• Easy paralleling

优势:

简介

IDW75E60属于分立半导体产品的二极管-整流器-单。由制造生产的IDW75E60二极管 - 整流器 - 单单整流器二极管系列产品可用于让电流仅沿一个方向流动,并且每个器件封装都恰好实现该功能的一个实例。其他用途的二极管(包括齐纳二极管和可变电容二极管)单独列在各自的产品系列中,每个器件封装中包含多个二极管的产品也是如此。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :IDW75E60

  • 生产厂家

    :Infineon

  • Product Status

    :active and preferred

  • Package name

    :PG-TO247-3

  • Green

    :yes

  • Halogen-free

    :undefined

  • Voltage Class max

    :600 V

  • Configuration

    :Single

  • IF max

    :120 A

  • IF

    :75 A

  • I(FSM) max

    :220 A

  • VF max

    :1.65 V

  • VF

    :1.65 V

  • IR max

    :40 µA

  • Qrr

    :2400 nC/3600 nC

  • trr

    :121 ns

  • Ptot max

    :300 W

  • RthJC max

    :0.5 K/W

  • Operating Temperature min

    :-55 °C

  • Operating Temperature max

    :175 °C

  • Mounting

    :THT

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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