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IDW10G65C5_V01

5t h Generation thinQ!TM 650V SiC Schottky Diode

1Description Features Revolutionarysemiconductormaterial-SiliconCarbide Benchmarkswitchingbehavior Noreverserecovery/Noforwardrecovery Temperatureindependentswitchingbehavior Highsurgecurrentcapability Pb-freeleadplating;RoHScompliant Qualifiedaccordin

InfineonInfineon Technologies AG

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更多IDW10G65C5_V01供应商 更新时间2025-7-19 8:31:00