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71V67603S150BGG8

256KX36,512KX183.3VSynchronousSRAMs3.3VI/O,BurstCounterPipelinedOutputs,SingleCycleDeselect

Features ◆256Kx36,512Kx18memoryconfigurations ◆Supportshighsystemspeed: –166MHz3.5nsclockaccesstime –150MHz3.8nsclockaccesstime –133MHz4.2nsclockaccesstime ◆Self-timedwritecyclewithglobalwritecontrol(GW),byte writeenable(BWE),andbytewrites(BWx) ◆L

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

详细参数

  • 型号:

    IDT71V67603S150BGG8

  • 功能描述:

    IC SRAM 9MBIT 150MHZ 119BGA

  • RoHS:

  • 类别:

    集成电路(IC) >> 存储器

  • 系列:

    -

  • 标准包装:

    72

  • 系列:

    - 格式 -

  • 存储器:

    RAM

  • 存储器类型:

    SRAM - 同步

  • 存储容量:

    9M(256K x 36)

  • 速度:

    75ns

  • 接口:

    并联

  • 电源电压:

    3.135 V ~ 3.465 V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C

  • 封装/外壳:

    100-LQFP

  • 供应商设备封装:

    100-TQFP(14x14)

  • 包装:

    托盘

  • 其它名称:

    71V67703S75PFGI

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更多IDT71V67603S150BGG8供应商 更新时间2024-5-16 16:16:00