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IDT71V416VL10BEGI	文件：95.6 Kbytes Page：9 Pages	3.3V CMOS Static RAM 4 Meg (256K x 16-Bit) Description The IDT71V416 is a 4,194,304-bit high-speed Static RAM organized as 256K x 16. It is fabricated using IDT’s high-perfomance, high-reliability CMOS technology. This state-of-the-art technology, combined with innovative circuit design techniques, provides a cost-effective solution for 文件：95.6 Kbytes 页数：9 Pages	IDT	IDT
IDT71V416VL10BEGI	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：48-TFBGA；包装：管件类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA	RENESAS 瑞萨	RENESAS
IDT71V416VL10BEGI8	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：48-TFBGA；包装：管件类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA	RENESAS 瑞萨	RENESAS
IDT71V416VL10PHGI	文件：95.6 Kbytes Page：9 Pages	3.3V CMOS Static RAM 4 Meg (256K x 16-Bit) Description The IDT71V416 is a 4,194,304-bit high-speed Static RAM organized as 256K x 16. It is fabricated using IDT’s high-perfomance, high-reliability CMOS technology. This state-of-the-art technology, combined with innovative circuit design techniques, provides a cost-effective solution for 文件：95.6 Kbytes 页数：9 Pages	IDT	IDT
IDT71V416VL10YG	文件：95.6 Kbytes Page：9 Pages	3.3V CMOS Static RAM 4 Meg (256K x 16-Bit) Description The IDT71V416 is a 4,194,304-bit high-speed Static RAM organized as 256K x 16. It is fabricated using IDT’s high-perfomance, high-reliability CMOS technology. This state-of-the-art technology, combined with innovative circuit design techniques, provides a cost-effective solution for 文件：95.6 Kbytes 页数：9 Pages	IDT	IDT
IDT71V416VL10YGI	文件：95.6 Kbytes Page：9 Pages	3.3V CMOS Static RAM 4 Meg (256K x 16-Bit) Description The IDT71V416 is a 4,194,304-bit high-speed Static RAM organized as 256K x 16. It is fabricated using IDT’s high-perfomance, high-reliability CMOS technology. This state-of-the-art technology, combined with innovative circuit design techniques, provides a cost-effective solution for 文件：95.6 Kbytes 页数：9 Pages	IDT	IDT

产品属性

产品编号：
IDT71V416VL10BEGI
制造商：
Renesas Electronics America Inc
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
管件
存储器类型：
易失
存储器格式：
SRAM
技术：
SRAM - 异步
存储容量：
4Mb（256K x 16）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
10ns
电压 - 供电：
3V ~ 3.6V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
48-TFBGA
供应商器件封装：
48-CABGA（9x9）
描述：
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA

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