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IDT71V416L10Y	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：托盘封装/外壳：44-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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71V416L10BEG	文件：645.53 Kbytes Page：9 Pages	3.3VCMOSStaticRAM	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
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IDT71V416L10BEG	文件：90.4 Kbytes Page：9 Pages	3.3VCMOSStaticRAM4Meg(256Kx16-Bit) Description TheIDT71V416isa4,194,304-bithigh-speedStaticRAMorganizedas256Kx16.Itisfabricatedusinghigh-perfomance,high-reliabilityCMOStechnology.Thisstate-of-the-arttechnology,combinedwithinnovativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionforhigh-	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
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产品属性

产品编号：
IDT71V416L10Y
制造商：
Renesas Electronics America Inc
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
托盘
存储器类型：
易失
存储器格式：
SRAM
技术：
SRAM - 异步
存储容量：
4Mb（256K x 16）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
10ns
电压 - 供电：
3V ~ 3.6V
工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
44-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽）
供应商器件封装：
44-SOJ
描述：
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ

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