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IDT71V35761YSA200BQ8中文资料IC SRAM 4.5M PARALLEL 165CABGA数据手册Renesas规格书
| 厂商型号 |
IDT71V35761YSA200BQ8 |
| 参数属性 | IDT71V35761YSA200BQ8 封装/外壳为165-TBGA；包装为托盘；类别为集成电路（IC）的存储器；产品描述：IC SRAM 4.5MBIT PAR 165CABGA |
| 功能描述 | IC SRAM 4.5M PARALLEL 165CABGA |
| 封装外壳 | 165-TBGA |
| 制造商 | Renesas Renesas Technology Corp |
| 中文名称 | 瑞萨 瑞萨科技有限公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-26 17:30:00 |
| 人工找货 | IDT71V35761YSA200BQ8价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
技术参数
- 制造商编号
：IDT71V35761YSA200BQ8
- 生产厂家
：Renesas
- 存储器格式
：SRAM
- 技术
：SRAM - 同步
- 存储容量
：4.5Mb （128K x 36）
- 时钟频率
：200MHz
- 写周期时间 - 字，页
：-
- 访问时间
：3.1ns
- 存储器接口
：并联
- 电压 - 电源
：3.135V ~ 3.465V
- 工作温度
：0°C ~ 70°C（TA）
- 安装类型
：表面贴装
- 封装/外壳
：165-TBGA
- 供应商器件封装
：165-CABGA（13x15）
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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