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IDT71T75602S200BGI中文资料PDF规格书
| 厂商型号 |
IDT71T75602S200BGI |
| 参数属性 | IDT71T75602S200BGI 封装/外壳为119-BGA；包装为卷带（TR）；类别为集成电路（IC） > 存储器；产品描述：IC SRAM 18MBIT PARALLEL 119PBGA |
| 功能描述 | 512K x 36, 1M x 18 2.5V Synchronous ZBT??SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs |
| 文件大小 |
637.94 Kbytes |
| 页面数量 |
25 页 |
| 生产厂商 | Integrated Device Technology, Inc. |
| 企业简称 |
IDT【集成器】 |
| 中文名称 | 深圳市集成器件技术有限公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2024-5-22 8:08:00 |
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产品属性
- 产品编号：
IDT71T75602S200BGI
- 制造商：
Renesas Electronics America Inc
- 类别：
集成电路（IC） > 存储器
- 包装：
卷带（TR）
- 存储器类型：
易失
- 存储器格式：
SRAM
- 技术：
SRAM - 同步，SDR（ZBT）
- 存储容量：
18Mb（512K x 36）
- 存储器接口：
并联
- 电压 - 供电：
2.375V ~ 2.625V
- 工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
119-BGA
- 供应商器件封装：
119-PBGA（14x22）
- 描述：
IC SRAM 18MBIT PARALLEL 119PBGA
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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