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IDT7164L20YI	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：28-BSOJ（0.300"，7.62mm 宽）；包装：管件类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28SOJ	Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc
IDT7164L20YI8	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：28-BSOJ（0.300"，7.62mm 宽）；包装：管件类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28SOJ	Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc
7164L20DB	文件：213.71 Kbytes Page：12 Pages	CMOS Static RAM 64K (8K x 8-Bit) Features ◆ High-speed address/chip select access time – Commercial: 20/25ns (max.) – Industrial: 20/25ns (max.) – Military: 20/25/35/45/55/70/85/100ns (max.) ◆ Low power consumption ◆ Battery backup operation – 2V data retention voltage (L Version only) ◆ Produced with advanced CMOS high-p 文件：213.71 Kbytes 页数：12 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
7164L20DGI	文件：749.13 Kbytes Page：10 Pages	CMOS Static RAM 64K 文件：749.13 Kbytes 页数：10 Pages	IDT	IDT
7164L20TDB	文件：213.71 Kbytes Page：12 Pages	CMOS Static RAM 64K (8K x 8-Bit) Features ◆ High-speed address/chip select access time – Commercial: 20/25ns (max.) – Industrial: 20/25ns (max.) – Military: 20/25/35/45/55/70/85/100ns (max.) ◆ Low power consumption ◆ Battery backup operation – 2V data retention voltage (L Version only) ◆ Produced with advanced CMOS high-p 文件：213.71 Kbytes 页数：12 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS

产品属性

产品编号：
IDT7164L20YI
制造商：
Renesas Electronics America Inc
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
管件
存储器类型：
易失
存储器格式：
SRAM
技术：
SRAM - 异步
存储容量：
64Kb（8K x 8）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
20ns
电压 - 供电：
4.5V ~ 5.5V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
28-BSOJ（0.300"，7.62mm 宽）
供应商器件封装：
28-SOJ
描述：
IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28SOJ

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