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IDT71256SA20TP	文件：61.12 Kbytes Page：8 Pages	CMOS STATIC RAM 256K (32K x 8-BIT) Description TheIDT71256SAisa262,144-bithigh-speedStaticRAMorganizedas32Kx8.ItisfabricatedusingIDT’shigh-perfomance,high-reliabilityCMOStechnology.Thisstate-of-the-arttechnology,combinedwith innovativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionfor	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司
IDT71256SA20TP	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：28-DIP（0.300"，7.62mm）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28DIP	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
IDT71256SA20TPI	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：28-DIP（0.300"，7.62mm）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28DIP	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
71256SA20PZG	文件：191.21 Kbytes Page：9 Pages	CMOSStaticRAM256K(32Kx8-Bit) Features ◆32Kx8advancedhigh-speedCMOSstaticRAM ◆Commercial(0°to70°C)andIndustrial(-40°to85°C) temperatureoptions ◆Equalaccessandcycletimes –Commercial:12ns –CommercialandIndustrial:15/20/25ns ◆OneChipSelectplusoneOutputEnablepin ◆Bidirectionaldatainp	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
71256SA20PZGI	文件：191.21 Kbytes Page：9 Pages	CMOSStaticRAM256K(32Kx8-Bit) Features ◆32Kx8advancedhigh-speedCMOSstaticRAM ◆Commercial(0°to70°C)andIndustrial(-40°to85°C) temperatureoptions ◆Equalaccessandcycletimes –Commercial:12ns –CommercialandIndustrial:15/20/25ns ◆OneChipSelectplusoneOutputEnablepin ◆Bidirectionaldatainp	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
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IDT71256SA20PZ	文件：61.12 Kbytes Page：8 Pages	CMOSSTATICRAM256K(32Kx8-BIT) Description TheIDT71256SAisa262,144-bithigh-speedStaticRAMorganizedas32Kx8.ItisfabricatedusingIDT’shigh-perfomance,high-reliabilityCMOStechnology.Thisstate-of-the-arttechnology,combinedwith innovativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionfor	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司
IDT71256SA20PZI	文件：260.56 Kbytes Page：8 Pages	CMOSStaticRAM256K(32Kx8-Bit)	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司
IDT71256SA20T	文件：61.12 Kbytes Page：8 Pages	CMOSSTATICRAM256K(32Kx8-BIT) Description TheIDT71256SAisa262,144-bithigh-speedStaticRAMorganizedas32Kx8.ItisfabricatedusingIDT’shigh-perfomance,high-reliabilityCMOStechnology.Thisstate-of-the-arttechnology,combinedwith innovativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionfor	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司
IDT71256SA20Y	文件：61.12 Kbytes Page：8 Pages	CMOSSTATICRAM256K(32Kx8-BIT) Description TheIDT71256SAisa262,144-bithigh-speedStaticRAMorganizedas32Kx8.ItisfabricatedusingIDT’shigh-perfomance,high-reliabilityCMOStechnology.Thisstate-of-the-arttechnology,combinedwith innovativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionfor	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司

产品属性

产品编号：
IDT71256SA20TP
制造商：
Renesas Electronics America Inc
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
管件
存储器类型：
易失
存储器格式：
SRAM
技术：
SRAM - 异步
存储容量：
256Kb（32K x 8）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
20ns
电压 - 供电：
4.5V ~ 5.5V
工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
28-DIP（0.300"，7.62mm）
供应商器件封装：
28-PDIP
描述：
IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28DIP

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