IDT71256L数据手册集成电路（IC）的存储器规格书PDF
| 厂商型号 |
IDT71256L |
| 参数属性 | IDT71256L 封装/外壳为28-BSOJ（0.300"，7.62mm 宽）；包装为卷带（TR）；类别为集成电路（IC）的存储器；产品描述：IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ |
| 功能描述 | BiCMOS StaticRAM 240K (16K x 15-BIT) CACHE-TAG RAM For the PentiumO Processor |
| 封装外壳 | 28-BSOJ（0.300"，7.62mm 宽） |
| 制造商 | Renesas Renesas Technology Corp |
| 中文名称 | 瑞萨 瑞萨科技有限公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-16 8:02:00 |
| 人工找货 | IDT71256L价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
IDT71256L规格书详情
描述 Description
DESCRIPTION:
The IDT71256 is a 262,144-bit high-speed static RAM organized as 32K x 8. It is fabricated using IDT’s high
performance, high-reliability CMOS technology.FEATURES:
• High-speed address/chip select time
— Military: 25/30/35/45/55/70/85/100/120/150ns (max.)
— Commercial: 20/25/35/45ns (max.) Low Power only.
• Low-power operation
• Battery Backup operation — 2V data retention
• Produced with advanced high-performance CMOS technology
• Input and output directly TTL-compatible
• Available in standard 28-pin (300 or 600 mil) ceramic DIP, 28-pin (600 mil) plastic DIP, 28-pin (300 mil) SOJ and 32-pin LCC
• Military product compliant to MIL-STD-883, Class B
技术参数
- 产品编号：
IDT71256L20Y8
- 制造商：
Renesas Electronics America Inc
- 类别：
集成电路（IC） > 存储器
- 包装：
卷带（TR）
- 存储器类型：
易失
- 存储器格式：
SRAM
- 技术：
SRAM - 异步
- 存储容量：
256Kb（32K x 8）
- 存储器接口：
并联
- 写周期时间 - 字，页：
20ns
- 电压 - 供电：
4.5V ~ 5.5V
- 工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
28-BSOJ（0.300"，7.62mm 宽）
- 供应商器件封装：
28-SOJ
- 描述：
IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IDT |
9316+ |
CDIP28 |
29293 |
进口原管现货 |
询价 | ||
IDT |
23+ |
DIP |
8560 |
受权代理!全新原装现货特价热卖! |
询价 | ||
2000 |
63 |
询价 | |||||
IDT |
24+ |
原装 |
2801 |
原装现货假一罚十 |
询价 | ||
IDT |
95+ |
CBGA |
2760 |
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IDT |
25+ |
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IDT |
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DIP-28 |
10000 |
原装现货假一罚十 |
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IDT |
24+ |
CDIP-28 |
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IDT |
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IDT |
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