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70P269L65BYGI	文件：151.32 Kbytes Page：22 Pages	VERYLOWPOWER1.8V16K/8K/4KX16DUAL-PORTSTATICRAM Features ◆TrueDual-Portedmemorycellswhichallowsimultaneous readsofthesamememorylocation ◆BothportsconfigurabletostandardSRAMortimemultiplexed address/datainterface ◆High-speedaccess –Industrial:65ns(max.),ADMmode –Industrial:40ns(max.),StandardSRAMmode ◆L	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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70P269L65BYGI

文件：151.32 Kbytes

Page：22 Pages

VERYLOWPOWER1.8V16K/8K/4KX16DUAL-PORTSTATICRAM

Features ◆TrueDual-Portedmemorycellswhichallowsimultaneous readsofthesamememorylocation ◆BothportsconfigurabletostandardSRAMortimemultiplexed address/datainterface ◆High-speedaccess –Industrial:65ns(max.),ADMmode –Industrial:40ns(max.),StandardSRAMmode ◆L

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

详细参数

型号：
IDT70P269L65BYGI
制造商：
Integrated Device Technology Inc
功能描述：
IC SRAM 256KBIT 65NS 100FPBGA

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更多IDT70P269L65BYGI供应商更新时间2024-6-12 10:30:00

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