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IDT6116SA35TP中文资料PDF规格书
| 厂商型号 |
IDT6116SA35TP |
| 参数属性 | IDT6116SA35TP 封装/外壳为24-DIP（0.300"，7.62mm）；包装为卷带（TR）；类别为集成电路（IC） > 存储器；产品描述：IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24DIP |
| 功能描述 | CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT) |
| 文件大小 |
111.94 Kbytes |
| 页面数量 |
11 页 |
| 生产厂商 | Integrated Device Technology, Inc. |
| 企业简称 |
IDT【集成器】 |
| 中文名称 | 深圳市集成器件技术有限公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2024-4-29 15:01:00 |
IDT6116SA35TP规格书详情
DESCRIPTION:
The IDT6116SA/LA is a 16,384-bit high-speed static RAM organized as 2K x 8. It is fabricated using IDTs high-performance, high-reliability CMOS technology.
FEATURES:
• High-speed access and chip select times
— Military: 20/25/35/45/55/70/90/120/150ns (max.)
— Commercial: 15/20/25/35/45ns (max.)
• Low-power consumption
• Battery backup operation
— 2V data retention voltage (LA version only)
• Produced with advanced CMOS high-performance
technology
• CMOS process virtually eliminates alpha particle
soft-error rates
• Input and output directly TTL-compatible
• Static operation: no clocks or refresh required
• Available in ceramic and plastic 24-pin DIP, 24-pin Thin
Dip and 24-pin SOIC and 24-pin SOJ
• Military product compliant to MIL-STD-833, Class B
产品属性
- 产品编号：
IDT6116SA35TP
- 制造商：
Renesas Electronics America Inc
- 类别：
集成电路（IC） > 存储器
- 包装：
卷带（TR）
- 存储器类型：
易失
- 存储器格式：
SRAM
- 技术：
SRAM - 异步
- 存储容量：
16Kb（2K x 8）
- 存储器接口：
并联
- 写周期时间 - 字，页：
35ns
- 电压 - 供电：
4.5V ~ 5.5V
- 工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
24-DIP（0.300"，7.62mm）
- 供应商器件封装：
24-PDIP
- 描述：
IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24DIP
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IDT |
22+ |
24PDIP |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
IDT |
08+ |
DIP-24 |
860 |
全新原装 实单必成 |
询价 | ||
IDT, Integrated Device Techno |
23+ |
24-PDIP |
7300 |
专注配单,只做原装进口现货 |
询价 | ||
IDT |
23+ |
DIP-24 |
8560 |
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询价 | ||
IDT |
20+ |
DIP24 |
11520 |
特价全新原装公司现货 |
询价 | ||
IDT |
DIP-24 |
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询价 | ||||
IDT |
2016+ |
DIP24 |
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IDT |
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IDT |
21+ |
24PDIP |
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IDT |
DIP-24 |
265209 |
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