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IDT6116LA20SO | CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT) DESCRIPTION: The IDT6116SA/LA is a 16,384-bit high-speed static RAM organized as 2K x 8. It is fabricated using IDTs high-performance, high-reliability CMOS technology. FEATURES: • High-speed access and chip select times — Military: 20/25/35/45/55/70/90/120/150ns (max.) — Commerc 文件:111.94 Kbytes 页数:11 Pages | IDT | IDT | |
CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT) DESCRIPTION: The IDT6116SA/LA is a 16,384-bit high-speed static RAM organized as 2K x 8. It is fabricated using IDTs high-performance, high-reliability CMOS technology. FEATURES: • High-speed access and chip select times — Military: 20/25/35/45/55/70/90/120/150ns (max.) — Commerc 文件:111.94 Kbytes 页数:11 Pages | IDT | IDT | ||
IDT6116LA20SO | Package:24-SOIC(0.295",7.50mm 宽);包装:卷带(TR) 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24SOIC | Renesas Electronics America Inc | Renesas Electronics America Inc | |
Package:24-SOIC(0.295",7.50mm 宽);包装:卷带(TR) 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24SOIC | Renesas Electronics America Inc | Renesas Electronics America Inc |
产品属性
- 产品编号:
IDT6116LA20SO
- 制造商:
Renesas Electronics America Inc
- 类别:
集成电路(IC) > 存储器
- 包装:
卷带(TR)
- 存储器类型:
易失
- 存储器格式:
SRAM
- 技术:
SRAM - 异步
- 存储容量:
16Kb(2K x 8)
- 存储器接口:
并联
- 写周期时间 - 字,页:
20ns
- 电压 - 供电:
4.5V ~ 5.5V
- 工作温度:
0°C ~ 70°C(TA)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
24-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
- 供应商器件封装:
24-SOIC
- 描述:
IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24SOIC
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IDT |
25+ |
SMD |
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IDT |
00/01+ |
SMD |
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24-SOIC |
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IDT |
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SOP24 |
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24-SOIC |
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IDT |
25+ |
SOP-24 |
1001 |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
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