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IDT10S60C中文资料2nd Generation thinQ SiC Schottky Diode数据手册Infineon规格书

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厂商型号

IDT10S60C

功能描述

2nd Generation thinQ SiC Schottky Diode

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-9-27 22:59:00

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技术参数

  • 型号:

    IDT10S60C

  • 功能描述:

    肖特基二极管与整流器 2ND GEN THINQ 600V SiC Schottky Diode

  • RoHS:

  • 制造商:

    Skyworks Solutions, Inc.

  • 产品:

    Schottky Diodes

  • 峰值反向电压:

    2 V

  • 正向连续电流:

    50 mA

  • 配置:

    Crossover Quad

  • 正向电压下降:

    370 mV

  • 最大功率耗散:

    75 mW

  • 工作温度范围:

    - 65 C to + 150 C

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    SOT-143

  • 封装:

    Reel

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