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IDH02G65C5分立半导体产品的二极管-整流器-单规格书PDF中文资料

IDH02G65C5
厂商型号

IDH02G65C5

参数属性

IDH02G65C5 封装/外壳为TO-220-2;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE SCHOTTKY 650V 2A TO220-2

功能描述

650V SiC thinQ!??Generation 5 diodes
DIODE SCHOTTKY 650V 2A TO220-2

封装外壳

TO-220-2

文件大小

417.84 Kbytes

页面数量

2

生产厂商 Infineon Technologies AG
企业简称

INFINEON英飞凌

中文名称

英飞凌科技股份公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-28 23:00:00

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IDH02G65C5规格书详情

IDH02G65C5属于分立半导体产品的二极管-整流器-单。由英飞凌科技股份公司制造生产的IDH02G65C5二极管 - 整流器 - 单单整流器二极管系列产品可用于让电流仅沿一个方向流动,并且每个器件封装都恰好实现该功能的一个实例。其他用途的二极管(包括齐纳二极管和可变电容二极管)单独列在各自的产品系列中,每个器件封装中包含多个二极管的产品也是如此。

Features

■ V₂ at 650V

Improved Figure of Merit (Q x V)

■ No reverse recovery charge

■ Soft switching reverse

recovery waveform

■ Temperature independent

switching behavior

High operating temperature

(₁175°C)

■ Improved surge capability

■ Pb-free lead plating

☐10 years manufacturing of SIC diodes

Benefits

■ Higher safety margin against

Overvoltage; best match with

CoolMOS™ 650V products

Improved efficiency over all

load conditions

■ Increased efficiency compared to

Silicon Diode alternatives

■ Reduced EMI compared to snappier

Silicon diode reverse recovery

waveform

Highly stable switching performance

Reduced cooling requirements

■ Reduced risks of thermal runaway

■ RoHS compliant

High quality know-how and capacity

in SiC diode manufacture

产品属性

更多
  • 产品编号:

    IDH02G65C5XKSA2

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 系列:

    CoolSiC™+

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 二极管类型:

    碳化硅肖特基

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    2A

  • 速度:

    无恢复时间 > 500mA(Io)

  • 不同 Vr、F 时电容:

    70pF @ 1V,1MHz

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-2

  • 供应商器件封装:

    PG-TO220-2

  • 工作温度 - 结:

    -55°C ~ 175°C

  • 描述:

    DIODE SCHOTTKY 650V 2A TO220-2

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEON/英飞凌
24+
NA/
3627
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Infineon(英飞凌)
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TO2202
7350
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