Diode Chip in Emitter Controlled 4 High Power Technology

Features • VRRM = 1200 V • IFn = 150 A • 1200 V Emitter Controlled 4 technology 120 μm chip • Soft, fast switching • Low reverse recovery charge • Small temperature coefficient

文件：124.92 Kbytes 页数：8 Pages

Infineon

英飞凌

Chip Diode

用于中/高功率模块的快速开关发射极控制二极管。 • 1200V 第四代发射极控制技术120µm 芯片\n• 软，快速开关\n• 低反向恢复电荷\n• 温度系数小\n\n优势:;

Infineon

英飞凌

Emitter Controlled 4 Medium Power Technology

Features: • 1200V Emitter Controlled 4 technology 110μm chip • Soft, fast switching • Low reverse recovery charge • Small temperature coefficient

文件：243.38 Kbytes 页数：8 Pages

Infineon

英飞凌

半固定可调电阻

松晖

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QFN

INVENSENSE/应美盛

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