Chip Diode

发射极控制二极管是英飞凌独特的快速恢复二极管技术。超薄晶圆和场终止技术通过软恢复降低了 IGBT 的通电损耗，使发射极控制二极管非常适用于消费者和工业应用。发射极控制二极管针对英飞凌 IGBT 技术进行了优化。\n • 1200V第四代发射极控制二极管技术\n• 低反向恢复电荷\n• 低温度系数\n\n优势:\n;

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Diode EMCON 4 Medium Power Chip

文件：116.57 Kbytes 页数：4 Pages

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Package：模具；包装：带盒（TB） 类别：分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述：DIODE GEN PURP 1.2KV 75A WAFER

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Diode EMCON 4 High Power Chip

文件：62.75 Kbytes 页数：4 Pages

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