Emitter Controlled 4 Medium Power Technology

Features: • 1200V Emitter Controlled 4 technology 110μm chip • Soft, fast switching • Low reverse recovery charge • Small temperature coefficient

文件：240.23 Kbytes 页数：8 Pages

INFINEON

英飞凌

Diode EMCON 4 Medium Power Chip

文件：118.33 Kbytes 页数：4 Pages

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英飞凌

其他模块

Sensata

森萨塔

Chip Diode

发射极控制二极管是英飞凌独特的快速恢复二极管技术。超薄晶圆和场终止技术通过软恢复降低了 IGBT 的通电损耗，使发射极控制二极管非常适用于消费者和工业应用。发射极控制二极管针对英飞凌 IGBT 技术进行了优化。 • 1200V第四代发射极控制二极管技术\n• 软, 快速开关\n• 低反向恢复电荷\n• 低温度系数\n\n优势:;

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英飞凌

二极管裸片

快速开关发射极控制二极管，用于低/中功率模块。 • 1200V 第四代发射极控制技术 110μm芯片\n• 软，快速开关\n• 低反向恢复电荷\n• 温度系数小\n\n优势:;

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英飞凌

类别：继电器 I/O 继电器模块 描述：DC INPUT MODULE 24V

Sensata-Crydom

类别：继电器 I/O 继电器模块 描述：DC INPUT MODULE 24V

Sensata-Crydom

Package：模具；包装：带盒（TB） 类别：分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述：DIODE GEN PURP 1.2KV 25A WAFER

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