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KRA722E	文件：113.49 Kbytes Page：6 Pages	EPITAXIALPLANARPNPTRANSISTOR(SWITCHING,INTERFACECIRCUITANDDRIVERCIRCUIT) SWITCHINGAPPLICATION. INTERFACECIRCUITANDDRIVERCIRCUITAPPLICATION. FEATURES ●ᴌWithBuilt-inBiasResistors. ●ᴌSimplifyCircuitDesign. ●ᴌReduceaQuantityofPartsandManufacturingProcess. ●ᴌHighPackingDensity.	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KRA722T	文件：68.01 Kbytes Page：5 Pages	EPITAXIALPLANARPNPTRANSISTOR(HIGHCURRENTSWITCHING,INTERFACECIRCUITANDDRIVERCIRCUIT) HIGHCURRENTSWITCHINGAPPLICATION. INTERFACECIRCUITANDDRIVERCIRCUITAPPPLICATION. FEATURES ●WithBuilt-inBiasResistors. ●SimplifyCircuitDesign. ●ReduceaQuantityofPartsandManufacturingProcess. ●HighOutputCurrent:-800mA.	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KRA722U	文件：113.83 Kbytes Page：6 Pages	EPITAXIALPLANARPNPTRANSISTOR(SWITCHING,INTERFACECIRCUITANDDRIVERCIRCUIT) SWITCHINGAPPLICATION. INTERFACECIRCUITANDDRIVERCIRCUITAPPLICATION. FEATURES ●WithBuilt-inBiasResistors. ●SimplifyCircuitDesign. ●ReduceaQuantityofPartsandManufacturingProcess. ●HighPackingDensity.	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KWT722	文件：667.11 Kbytes Page：16 Pages	TOPLEDDEVICE	SEOULSeoul Semiconductor Co., Ltd. 首尔半导体首尔半导体有限公司	SEOUL
L722AH	文件：114.86 Kbytes Page：1 Pages	HTPOWERJACKSL712AH,L722AH,RoHS	SWITCH Switch Publishing Co.，Ltd.	SWITCH
L722AS	文件：401.77 Kbytes Page：4 Pages	IP68/NEMA250(6P)SealedPowerPlugandJack	SWITCH Switch Publishing Co.，Ltd.	SWITCH
L722RA	文件：120.75 Kbytes Page：1 Pages	LockingPowerJack	SWITCH Switch Publishing Co.，Ltd.	SWITCH
L722RAS	文件：401.77 Kbytes Page：4 Pages	IP68/NEMA250(6P)SealedPowerPlugandJack	SWITCH Switch Publishing Co.，Ltd.	SWITCH
LF722RW	文件：230.71 Kbytes Page：2 Pages	WideInput,7.5WSMTSingle&DualOutputDC/DCConverters	MPD MPD (Memory Protection Devices)	MPD
LK722	文件：60.09 Kbytes Page：2 Pages	SILICONGATEENHANCEMENTMODERFPOWERLDMOSTRANSISTORPush-Pull GeneralDescription SiliconVDMOSandLDMOStransistorsdesignedspecificallyforbroadbandRFapplications.SuitableforMilitaryRadios,CellularandPagingAmplifierBaseStations,BroadcastFM/AM,MRI,LaserDriverandothers. Polyfetprocessfeatureslowfeedbackandoutputcapacitances,re	Polyfet Polyfet RF Devices	Polyfet

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产品属性

产品编号：
ICS722MT
制造商：
Renesas Electronics America Inc
类别：
集成电路（IC） > 时钟发生器，PLL，频率合成器
包装：
卷带（TR）
类型：
压控晶体振荡器（VCXO）
PLL：
无
输入：
晶体
输出：
CMOS
比率 - 输入：
2：1
差分 - 输入：
无/无
频率 - 最大值：
28MHz
分频器/倍频器：
无/无
电压 - 供电：
3.15V ~ 3.45V
工作温度：
0°C ~ 70°C
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：
8-SOIC
描述：
IC VCXO 3.3V 27MHZ 8-SOIC

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