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IC62LV12816L-100T	文件：139.94 Kbytes Page：10 Pages	128K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM 文件：139.94 Kbytes 页数：10 Pages	ICSI	ICSI
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IS62LV12816L-100B	文件：462.78 Kbytes Page：10 Pages	128K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM DESCRIPTION The ICSI IS62LV12816L and IS62LV12816LL are high-speed, 2,097,152-bit static RAM organized as 131,072 words by 16 bits. It is fabricated using ICSIs high-performance CMOS technology. This highly reliable process coupled with innovative circuit design techniques, yields high-performanc 文件：462.78 Kbytes 页数：10 Pages	ICSI	ICSI
IS62LV12816L-100B	文件：83.15 Kbytes Page：9 Pages	128K x 16 CMOS STATIC RAM 文件：83.15 Kbytes 页数：9 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS62LV12816L-100BI	文件：83.15 Kbytes Page：9 Pages	128K x 16 CMOS STATIC RAM 文件：83.15 Kbytes 页数：9 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI

更多IC62LV12816L-100T供应商更新时间2025-10-10 11:10:00