IAUTN06S5N008T中文资料英飞凌数据手册PDF规格书

厂商型号	IAUTN06S5N008T
功能描述	OptiMOS™ 5 Power-Transistor
丝印标识	5N06N008
封装外壳	PG-HDSOP-16-1
文件大小	1.54557 Mbytes
页面数量	12 页
生产厂商	Infineon
中文名称	英飞凌
网址	网址
数据手册	下载地址一下载地址二到原厂下载
更新时间	2025-10-12 22:59:00
人工找货	IAUTN06S5N008T价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货

特性 Features

• OptiMOS™ power MOSFET for automotive applications

• N-channel – enhancement mode – normal level

• Extended qualification beyond AEC-Q101

• Enhanced electrical testing

• Robust design

• MSL1 up to 260°C peak reflow

• 175°C operating temperature

• RoHS compliant

• 100 avalanche tested

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳航星空电子技术有限公司	IAUZ18N10S5L420	Infineon(英飞凌)	23+	标准封装	7000	公司只做原装，可来电咨询	询价
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