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IAUCN04S7N056D	文件：2.99957 Mbytes Page：12 Pages	Marking：7N4N056D；Package：PG-TDSON-8-61；Automotive MOSFET OptiMOSTM 7 Power-Transistor Features •OptiMOSTMpowerMOSFETforautomotiveapplications •N-channel–Enhancementmode–NormalLevel •ExtendedqualificationbeyondAEC-Q101 •Enhancedelectricaltesting •Robustdesign •MSL1upto260°Cpeakreflow •175°Coperatingtemperature •RoHScompliant •100%Avala	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

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IAUCN04S7N056D

文件：2.99957 Mbytes

Page：12 Pages

Marking：7N4N056D；Package：PG-TDSON-8-61；Automotive MOSFET OptiMOSTM 7 Power-Transistor

Features •OptiMOSTMpowerMOSFETforautomotiveapplications •N-channel–Enhancementmode–NormalLevel •ExtendedqualificationbeyondAEC-Q101 •Enhancedelectricaltesting •Robustdesign •MSL1upto260°Cpeakreflow •175°Coperatingtemperature •RoHScompliant •100%Avala

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英飞凌英飞凌科技股份公司

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更多IAUCN04S7N056D供应商更新时间2025-5-1 11:00:00

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