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IAUCN04S7L009	文件：748.32 Kbytes Page：12 Pages	丝印：7N04L009；Package：PG-TDSON-8-34；OptiMOS™ 7 Power-Transistor Features •OptiMOS™powerMOSFETforautomotiveapplications •N-channel–Enhancementmode–LogicLevel •ExtendedqualificationbeyondAEC-Q101 •Enhancedelectricaltesting •Robustdesign •MSL1upto260°Cpeakreflow •175°Coperatingtemperature •RoHScompliant •100Avalanchete	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
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