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IAUCN04S7L005中文资料40 V、N 沟道、最大值 0.52mΩ、汽车 MOSFET、SSO8 (5x6)、OptiMOS ™ 7数据手册Infineon规格书

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厂商型号

IAUCN04S7L005

功能描述

40 V、N 沟道、最大值 0.52mΩ、汽车 MOSFET、SSO8 (5x6)、OptiMOS ™ 7

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-10-8 18:04:00

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IAUCN04S7L005规格书详情

描述 Description

16 种产品组合(RDS(on)max 从 0.4 mΩ 至 3.0 mΩ,可实现产品在应用中的最佳匹配。所有这些都使得该产品拥有市场上最佳的 FOM(RDS(on)x Qg)和性能。

特性 Features

• Ron*A 非常低
• 高雪崩能力
• 高 SOA 坚固性
• 快速切换时间(开启/关闭)
• N沟道–增强模式–逻辑电平
• 超越 AEC-Q101 的扩展资格
• 增强电气测试
• 坚固的设计
• MSL1 最高回流温度可达 260°C 峰值
• 工作温度为 175°C
• 低封装电阻和电感
• 支持 PPAP 的设备

技术参数

  • 制造商编号

    :IAUCN04S7L005

  • 生产厂家

    :Infineon

  • QG(typ @10V)

    :109 nC

  • RDS (on)(@10V) max

    :0.52 mΩ

  • VDSmax

    :40 V

  • VGS(th)

    :1.5 V

  • Package

    :PG-TDSON-8

  • Operating Temperature

    :-55 °C to 175 °C

  • Technology

    :OptiMOS™-7

  • Launch year

    :2023

  • Polarity

    :N

  • Currently planned availability until at least

    :2038

  • Qualification

    :Automotive

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon
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