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IAUCN04S6N017T中文资料40 V、N 沟道、最大值 1.73mΩ、汽车 MOSFET、SSO10T (5x7)、OptiMOS ™ 6数据手册Infineon规格书
IAUCN04S6N017T规格书详情
描述 Description
创新的 TSC 封装可实现最佳冷却效果、高功率密度和优化的系统成本初始产品组合包括 OptiMOS ™ 6 系列的四种产品,额定电压为 40V,并计划未来扩展。RDS(on) 最大值范围从 1.73 mΩ 到令人印象深刻的 0.75 mΩ。SSO10T TSC 封装已通过 JEDEC 认证,确保其适合公开市场使用,并可与第二来源广泛兼容。
特性 Features
• 直接冷却至 ECU 外壳
• 将 Zth 提升 -20% 至 -50%
• 将 Rth 提高 -20% 至 -50%
• 支持双面 PCB 设计
• 提供更高的应用电流
• JEDEC 认证封装
• 支持 PPAP 的设备
技术参数
- 制造商编号
:IAUCN04S6N017T
- 生产厂家
:Infineon
- QG(typ @10V)
:38 nC
- RDS (on)(@10V) max
:1.73 mΩ
- VDSmax
:40 V
- VGS(th)
:2.6 V
- Operating Temperature
:-55 °C to 175 °C
- Technology
:OptiMOS™-6
- Launch year
:2023
- Polarity
:N
- Currently planned availability until at least
:2029
- Qualification
:Automotive