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IAUCN04S6N017T中文资料40 V、N 沟道、最大值 1.73mΩ、汽车 MOSFET、SSO10T (5x7)、OptiMOS ™ 6数据手册Infineon规格书

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厂商型号

IAUCN04S6N017T

功能描述

40 V、N 沟道、最大值 1.73mΩ、汽车 MOSFET、SSO10T (5x7)、OptiMOS ™ 6

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-10-7 15:16:00

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IAUCN04S6N017T规格书详情

描述 Description

创新的 TSC 封装可实现最佳冷却效果、高功率密度和优化的系统成本初始产品组合包括 OptiMOS ™ 6 系列的四种产品,额定电压为 40V,并计划未来扩展。RDS(on) 最大值范围从 1.73 mΩ 到令人印象深刻的 0.75 mΩ。SSO10T TSC 封装已通过 JEDEC 认证,确保其适合公开市场使用,并可与第二来源广泛兼容。

特性 Features

• 直接冷却至 ECU 外壳

• 将 Zth 提升 -20% 至 -50%

• 将 Rth 提高 -20% 至 -50%

• 支持双面 PCB 设计

• 提供更高的应用电流

• JEDEC 认证封装

• 支持 PPAP 的设备

技术参数

  • 制造商编号

    :IAUCN04S6N017T

  • 生产厂家

    :Infineon

  • QG(typ @10V)

    :38 nC

  • RDS (on)(@10V) max

    :1.73 mΩ

  • VDSmax

    :40 V

  • VGS(th)

    :2.6 V

  • Operating Temperature

    :-55 °C to 175 °C

  • Technology

    :OptiMOS™-6

  • Launch year

    :2023

  • Polarity

    :N

  • Currently planned availability until at least

    :2029

  • Qualification

    :Automotive

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon/英飞凌
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