IAUCN04S6N007T中文资料英飞凌数据手册PDF规格书

厂商型号	IAUCN04S6N007T
功能描述	Automotive MOSFET OptiMOS™ 6 Power-Transistor
丝印标识	6A4
封装外壳	PG-LHDSO-10-3
文件大小	1.30302 Mbytes
页面数量	12 页
生产厂商	Infineon Technologies AG
企业简称	Infineon【英飞凌】
中文名称	英飞凌科技股份公司官网
原厂标识
数据手册	下载地址一下载地址二到原厂下载
更新时间	2025-5-24 17:14:00
人工找货	IAUCN04S6N007T价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货

Features

• OptiMOS™ power MOSFET for automotive applications

• N-channel – Enhancement mode – Normal Level

• Extended qualification beyond AEC-Q101

• Enhanced electrical testing

• Robust design

• MSL1 up to 260°C peak reflow

• 175°C operating temperature

• RoHS compliant

• 100 Avalanche tested

• Top Side Cooling