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HC646	文件：202.3 Kbytes Page：12 Pages	HC648OCTALBUSTRANSCEIVER/REGISTER3-STATE,INV.HC646OCTALBUSTRANSCEIVER/REGISTER3-STATE DESCRIPTION TheM74HC646/648arehighspeedCMOSOCTALBUSTRANSCEIVERSANDREGISTERS,(3-STATE)fabricatedinsilicongateC2MOStechnology.TheyhavethesamehighspeedperformanceofLSTTLcombinedwithtrueCMOSlowpowerconsumption. ■HIGHSPEED fMAX=73MHz(TYP.)ATVCC=5V ■	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
HC646	文件：175.07 Kbytes Page：10 Pages	OCTALBUSTRANSCEIVERSANDREGISTERSWITH3-STATEOUTPUTS	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
HCTS646D	文件：147.73 Kbytes Page：11 Pages	RadiationHardenedOctalBusTransceiver/Register,Three-State Description TheIntersilHCTS646MSisaRadiationHardenedThreeStateOctalBusTranceiver/RegisterwithNon-Invertingoutputs.ThisdeviceisabustransceiverwithD-typeflip-flopswhichactasinternalstorageregisters. Features •3MicronRadiationHardenedCMOSSOS •TotalDose200KRAD	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
HCTS646DMSR	文件：147.73 Kbytes Page：11 Pages	RadiationHardenedOctalBusTransceiver/Register,Three-State Description TheIntersilHCTS646MSisaRadiationHardenedThreeStateOctalBusTranceiver/RegisterwithNon-Invertingoutputs.ThisdeviceisabustransceiverwithD-typeflip-flopswhichactasinternalstorageregisters. Features •3MicronRadiationHardenedCMOSSOS •TotalDose200KRAD	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
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HCTS646K	文件：147.73 Kbytes Page：11 Pages	RadiationHardenedOctalBusTransceiver/Register,Three-State Description TheIntersilHCTS646MSisaRadiationHardenedThreeStateOctalBusTranceiver/RegisterwithNon-Invertingoutputs.ThisdeviceisabustransceiverwithD-typeflip-flopswhichactasinternalstorageregisters. Features •3MicronRadiationHardenedCMOSSOS •TotalDose200KRAD	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
HCTS646KMSR	文件：147.73 Kbytes Page：11 Pages	RadiationHardenedOctalBusTransceiver/Register,Three-State Description TheIntersilHCTS646MSisaRadiationHardenedThreeStateOctalBusTranceiver/RegisterwithNon-Invertingoutputs.ThisdeviceisabustransceiverwithD-typeflip-flopswhichactasinternalstorageregisters. Features •3MicronRadiationHardenedCMOSSOS •TotalDose200KRAD	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
HCTS646MS	文件：147.73 Kbytes Page：11 Pages	RadiationHardenedOctalBusTransceiver/Register,Three-State Description TheIntersilHCTS646MSisaRadiationHardenedThreeStateOctalBusTranceiver/RegisterwithNon-Invertingoutputs.ThisdeviceisabustransceiverwithD-typeflip-flopswhichactasinternalstorageregisters. Features •3MicronRadiationHardenedCMOSSOS •TotalDose200KRAD	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
HCTS646MS	文件：580.01 Kbytes Page：10 Pages	RadiationHardenedOctalD-TypeFlip-Flop,Three-State,PositiveEdgeTriggered Features •3MicronRadiationHardenedCMOSSOS •TotalDose200KRAD(Si) •SEPEffectiveLETNoUpsets:>100MEV-cm2/mg •SingleEventUpset(SEU)Immunity1x1012RAD(Si)/s •DoseRateUpset>1010RAD(Si)/s20nsPulse •Lat	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HT646L	文件：837.31 Kbytes Page：14 Pages	318SeriesofDecoders GeneralDescription The318decodersareaseriesofCMOSLSIsforremotecontrolsystemapplications.Theyare pairedwiththe318seriesofencoders.Forproperoperationapairofencoder/decoderpair withthesamenumberofaddressanddataformatshouldbeselected(refertotheenco	HoltekHolmate Technology Corp. (Holtek) 合泰	Holtek
IN646	文件：351.16 Kbytes Page：1 Pages	TRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
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