| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市明盛嘉电子科技有限公司3年
留言
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VISHAY/威世TO-263 |
5000 |
21+ |
原装现货/假一赔十/支持第三方检验 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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IRTO-263 |
4 |
2024+实力库存 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
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京海半导体(深圳)有限公司2年
留言
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98900 |
22+ |
只做原装，支持实单，来电咨询。 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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Infineon(英飞凌)D2PAK |
8357 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
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IRTO263 |
9800 |
21+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市明盛嘉电子科技有限公司3年
留言
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VISHAY/威世TO-263 |
5000 |
21+ |
原装现货/假一赔十/支持第三方检验 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IRTO263 |
7906200 |
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深圳市华斯顿科技有限公司14年
留言
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IRTO263 |
13397 |
22+23+ |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
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深圳市欧立现代科技有限公司10年
留言
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IRTO263 |
7530 |
22+ |
绝对原装现货,价格低,欢迎询购! |
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深圳市纳睿斯电子科技有限公司2年
留言
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20000 |
原装现货,可追溯原厂渠道 |
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深圳市亚泰盈科电子有限公司11年
留言
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IR/VISHAYSOT263 |
30216 |
提供BOM表配单TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S |
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深圳市奥皇科技有限公司1年
留言
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Infineon/英飞凌D2PAK |
18496 |
22+ |
只做原装现货工厂免费出样欢迎咨询订单 |
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司5年
留言
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IRTO-263 |
76 |
06+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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世云芯(深圳)科技有限责任公司3年
留言
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INFINEONTO-263 |
5023 |
22+ |
公司原装现货可专票 |
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深圳市福田区晶康业电子商行2年
留言
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IRTO-263 |
800 |
20+ |
全新原装,价格优势 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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IRTO-263 |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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IRNA/ |
13895 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市星佑电子有限公司16年
留言
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IRTO263 |
33000 |
06+ |
全新原装 绝对有货 |
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深圳市华睿芯科技有限公司8年
留言
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IRTO-263 |
20000 |
23+ |
原厂原装正品现货 |
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深圳市晨豪科技有限公司10年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-263 |
89630 |
23+ |
当天发货全新原装现货 |
IRF1404S采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IRF1404S图片
IRF1404SPBF价格
IRF1404SPBF价格：￥6.2593品牌：INTERNATIONAL
生产厂家品牌为INTERNATIONAL的IRF1404SPBF多少钱，想知道IRF1404SPBF价格是多少？参考价：￥6.2593。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IRF1404SPBF批发价格及采购报价，IRF1404SPBF销售排行榜及行情走势，IRF1404SPBF报价。
IRF1404S资讯
IRF1404S MOSFET N-CH 40V 162A D2PAK IR国际整流器 TO263
深圳市轩嘉盛电子有限公司IRF1404S40V162ATO263IR
IRF1404STRLPBF
IRF1404STRLPBF绝对原装进口现货可开17%增值税发票
IRF1404S
IRF1404S数量885 IR 13+ TO263 公司名:深圳市铭樂电子有限公司 地址:深圳华强北 TELL：0755-83230072 QQ:510518949
IRF1404S中文资料Alldatasheet PDF
更多IRF1404S功能描述:MOSFET N-CH 40V 162A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF1404SPBF功能描述:MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 4mOhms 160nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF1404STRLPBF功能描述:MOSFET MOSFT 40V 162A 4mOhm 160nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF1404STRR功能描述:MOSFET N-CH 40V 162A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF1404STRRPBF功能描述:MOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 4mOhms 160nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
