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H12B2	文件：108.27 Kbytes Page：4 Pages	500mWZenerDiode1.7to37.2Volts Features •LowLeakage •LowZenerImpedance •HighReliability	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司
HZ12B2	文件：385.79 Kbytes Page：4 Pages	Glass-EncapsulateDiodes	HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰广东合科泰实业有限公司
HZ12B2	文件：55.92 Kbytes Page：7 Pages	SiliconEpitaxialPlanarZenerDiodeforStabilizedPowerSupply Features •Lowleakage,lowzenerimpedanceandmaximumpowerdissipationof500mWareideallysuitedforstabilizedpowersupply,etc. •Widespectrumfrom1.6Vthrough38Vofzenervoltageprovideflexibleapplication.	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
HZ12B2	文件：45.1 Kbytes Page：8 Pages	SiliconEpitaxialPlanarZenerDiodeforStabilizedPowerSupply Features •Lowleakage,lowzenerimpedanceandmaximumpowerdissipationof500mWareideallysuitedforstabilizedpowersupply,etc. •Widespectrumfrom1.6Vthrough38Vofzenervoltageprovideflexibleapplication.	HitachiHitachi, Ltd. 日立公司
HZ12B2	文件：261.899 Kbytes Page：4 Pages	SILICONEPITAXIALPLANERZENERDIODES forstabilizedpowersupply Features •Lowleakage,lowzenerimpedanceandmaximumpowerdissipationof500mWareideallysuitedforstabilizedpowersupply,etc. •Widespectrumfrom1.6Vthrough38Vofzenervoltageprovideflexibleapplication.	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司
HZS12B2	文件：56.36 Kbytes Page：7 Pages	SiliconEpitaxialPlanarZenerDiodeforStabilizedPowerSupply	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
HZU12B2	文件：100.59 Kbytes Page：11 Pages	SiliconEpitaxialPlanarZenerDiodesforStabilizer Features •UltrasmallResinPackage(URP)issuitableforsurfacemountdesign. •Thesediodesaredeliveredtaped.	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
HZU12B2L	文件：77.04 Kbytes Page：6 Pages	SiliconPlanarZenerDiodeforLowNoiseApplication	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
PZU12B2	文件：64.61 Kbytes Page：12 Pages	SingleZenerdiodesinaSOD323Fpackage	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦
PZU12B2A/DG	文件：127.73 Kbytes Page：14 Pages	SingleZenerdiodes	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司
PZU12B2L	文件：261.269 Kbytes Page：12 Pages	SingleZenerdiodesinaSOD882package 1.1.Generaldescription General-purposeZenerdiodesinaSOD882leadlessultrasmallSurface-MountedDevice(SMD) plasticpackage. 1.2.Features •Non-repetitivepeakrerversepowerdissipation:PZSM≤40W •Totalpowerdissipation:Ptot≤250mW •Toleranceseries:B:approximately±5	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司
PZU12B2L	文件：133.1 Kbytes Page：13 Pages	SingleZenerdiodes	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司
RKZ12B2KD	文件：100.22 Kbytes Page：8 Pages	SiliconPlanarZenerDiodeforStabilizedPowerSupply Features •Lowleakage,lowzenerimpedanceandmaximumpowerdissipationof500mW. •Widespectrumfrom1.9Vthrough38Vofzenervoltageprovideflexibleapplication. •LLDPackageissuitableforhighdensitysurfacemountingandhighspeedassembly.	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
RKZ12B2KJ	文件：66.05 Kbytes Page：7 Pages	SiliconPlanarZenerDiodeforSurgeAbsorptionandStabilizer Features •EmbossTapingReelPack. •UltrasmallFlatLeadPackage(UFP)issuitableforsurfacemountdesign.	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司

详细参数

型号：
HZU12B2TR
制造商：
Renesas Electronics Corporation
功能描述：
Diode Zener Single 12V 2% 200mW 2-Pin URP T/R

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市鹏和科技有限公司	HZU12B2TR	HITACHI	2022+		5000	全现原装公司现货	询价
深圳市百视威讯电子科技有限公司	HZU12B2TR		23+	N/A	30350	正品授权货源可靠	询价
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