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HZM6.8N	文件：193.81 Kbytes Page：8 Pages	SiliconEpitaxialPlanarZenerDiodeforStabilizer Features •Widespectrumfrom1.9Vthrough38Vofzenervoltageprovideflexibleapplication. •MPAKPackageissuitableforhighdensitysurfacemountingandhighspeedassembly.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HZM6.8N	文件：193.81 Kbytes Page：8 Pages	SiliconEpitaxialPlanarZenerDiodeforStabilizer	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HZM6.8N	文件：210.1 Kbytes Page：10 Pages	SiliconEpitaxialPlanarZenerDiodeforStabilizer	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HZM6.8N	文件：92.21 Kbytes Page：7 Pages	SiliconEpitaxialPlanarZenerDiodeforStabilizer	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HZM6.8NB	文件：193.81 Kbytes Page：8 Pages	SiliconEpitaxialPlanarZenerDiodeforStabilizer Features •Widespectrumfrom1.9Vthrough38Vofzenervoltageprovideflexibleapplication. •MPAKPackageissuitableforhighdensitysurfacemountingandhighspeedassembly.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HZM6.8NB	文件：193.81 Kbytes Page：8 Pages	SiliconEpitaxialPlanarZenerDiodeforStabilizer	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HZM6.8ZMFA	文件：164.29 Kbytes Page：6 Pages	SiliconPlanarZenerDiodeforSurgeAbsorb Features •HZM6.8ZMFAhasfourdevicesinamonolithic,andcanabsorbsurge. •Lowcapacitance(C=25pFmax)andcanprotectESDofsignalline. •MPAK-5Packageissuitableforhighdensitysurfacemountingandhighspeedassembly.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HZM6.8ZMFA	文件：27.1 Kbytes Page：6 Pages	SiliconPlanarZenerDiodeforSurgeAbsorb	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
HZM6.8ZMWA	文件：89.67 Kbytes Page：8 Pages	SiliconPlanarZenerDiodeforSurgeAbsorb	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HZM6.8ZWA	文件：32.13 Kbytes Page：6 Pages	SiliconEpitaxialPlanarZenerDiodeforSurgeAbsorb	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多HZB6.8ZMFATL供应商更新时间2025-5-22 14:31:00

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