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HZ6.2CP	文件：48.11 Kbytes Page：8 Pages	SiliconEpitaxialPlanarZenerDiodesforVoltageController&VoltageLimitter Features •Widespectrumfrom1.88Vthrough40Vofzenervoltageprovideflexibleapplication. •GlasspackageDO-41structureensureshighreliability.	HitachiHitachi, Ltd. 日立公司	Hitachi
HZC6.2	文件：71.8 Kbytes Page：6 Pages	SiliconEpitaxialPlanarZenerDiodeforSurgeAbsorb	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HZC6.2	文件：34.42 Kbytes Page：6 Pages	SiliconEpitaxialPlanarZenerDiodeforSurgeAbsorb	HitachiHitachi, Ltd. 日立公司	Hitachi
HZF6.2BP	文件：367.253 Kbytes Page：2 Pages	1W6.2VZenerdiode	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司 PDF上传者：深圳市福田区吉富昌电子商行	SUNMATE
HZF6.2BP	文件：364.11 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTSILICONZENERDIODES	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司	SUNMATE
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HZM6.2N	文件：193.81 Kbytes Page：8 Pages	SiliconEpitaxialPlanarZenerDiodeforStabilizer Features •Widespectrumfrom1.9Vthrough38Vofzenervoltageprovideflexibleapplication. •MPAKPackageissuitableforhighdensitysurfacemountingandhighspeedassembly.	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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HZM6.2NB	文件：193.81 Kbytes Page：8 Pages	SiliconEpitaxialPlanarZenerDiodeforStabilizer	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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HZU6.2	文件：100.59 Kbytes Page：11 Pages	SiliconEpitaxialPlanarZenerDiodesforStabilizer Features •UltrasmallResinPackage(URP)issuitableforsurfacemountdesign. •Thesediodesaredeliveredtaped.	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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HZU6.2L	文件：31.11 Kbytes Page：6 Pages	SiliconEpitaxialPlanarZenerDiodeforSurgeAbsorb	HITACHI-METALSHitachi Metals, Ltd 日立金属日立金属有限公司	HITACHI-METALS
HZU6.2Z	文件：153.95 Kbytes Page：6 Pages	SiliconEpitaxialPlanarZenerDiodeforSurgeAbsorb Features •Lowcapacitance(C=8.5pFmax)andcanprotectsignallinefromESD. •UltrasmallResinPackage(URP)issuitableforsurfacemountdesign.	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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更多HZ6.2BPTK-E供应商更新时间2024-5-27 14:26:00

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