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HYB18T512800BF

200 Pin Small-Outlined DDR2 SDRAMs Modules

文件:4.42635 Mbytes 页数:70 Pages

QIMONDA

奇梦达

HYB18T512800BF

240-Pin Fully-Buffered DDR2 SDRAM Modules

文件:2.93077 Mbytes 页数:42 Pages

QIMONDA

奇梦达

HYB18T512800BF

240-Pin Fully-Buffered DDR2 SDRAM Modules

文件:2.21066 Mbytes 页数:43 Pages

QIMONDA

奇梦达

HYB18T512800BF

240-Pin Fully-Buffered DDR2 SDRAM Modules

文件:2.74598 Mbytes 页数:47 Pages

QIMONDA

奇梦达

HYB18T512800BF

240-Pin Registered DDR2 SDRAM Modules

文件:3.01358 Mbytes 页数:52 Pages

QIMONDA

奇梦达

HYB18T512800BF

512-Mbit Double-Data-Rate-Two SDRAM

文件:2.89541 Mbytes 页数:57 Pages

QIMONDA

奇梦达

HYB18T512800BF

200 Pin Small-Outlined DDR2 SDRAMs Modules

文件:4.42717 Mbytes 页数:69 Pages

QIMONDA

奇梦达

HYB18T512800BF

240-Pin Registered DDR2 SDRAM Modules

文件:4.06452 Mbytes 页数:65 Pages

QIMONDA

奇梦达

HYB18T512800BF

240-Pin unbuffered DDR2 SDRAM Modules

文件:5.48127 Mbytes 页数:87 Pages

QIMONDA

奇梦达

HYB18T512800BF-2.5

512-Mbit Double-Data-Rate-Two SDRAM

文件:3.68977 Mbytes 页数:68 Pages

QIMONDA

奇梦达

详细参数

  • 型号:

    HYB18T512800BF

  • 功能描述:

    IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60TFBGA

  • RoHS:

  • 类别:

    集成电路(IC) >> 存储器

  • 系列:

    -

  • 标准包装:

    60

  • 系列:

    - 格式 -

  • 存储器:

    EEPROMs - 串行

  • 存储器类型:

    EEPROM

  • 存储容量:

    16K(2K x 8)

  • 速度:

    2MHz

  • 接口:

    SPI 3 线串行

  • 电源电压:

    2.5 V ~ 5.5 V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C

  • 封装/外壳:

    8-DIP(0.300,7.62mm)

  • 供应商设备封装:

    8-PDIP

  • 包装:

    管件

  • 产品目录页面:

    1449(CN2011-ZH PDF)

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更多HYB18T512800BF供应商 更新时间2026-2-5 15:01:00