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丝印：HYB2010C；Package：TO-220MF-3L；Schottky Barrier Diode 文件：600.83 Kbytes 页数：6 Pages | HUAYI 华羿微电 | HUAYI | ||
丝印：HYB2010C；Package：TO-220FB-3L；Schottky Barrier Diode 文件：600.83 Kbytes 页数：6 Pages | HUAYI 华羿微电 | HUAYI | ||
SiC SBD 此器件为1200V、10A、TO-220AB-2L封装产品，适用于光伏、开关电源等领域。 符合RoHS标准 \n领先的封装工艺 \n提升系统效率; | Huayi 华羿微电 | Huayi | ||
MEMORY SPECTRUM | Infineon 英飞凌 | Infineon | ||
MEMORY SPECTRUM | Infineon 英飞凌 | Infineon | ||
Package：68-TFBGA；包装：托盘 类别：集成电路（IC） 存储器 描述：IC SDRAM 1GBIT 333MHZ 68BGA | QIMONDA 奇梦达 | QIMONDA | ||
Package：66-TSSOP（szerokość 0，400"，10，16mm）；包装：托盘托盘 类别：集成电路（IC） 存储器 描述：IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II | QIMONDA 奇梦达 | QIMONDA | ||
Package：66-TSSOP（szerokość 0，400"，10，16mm）；包装：托盘托盘 类别：集成电路（IC） 存储器 描述：IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II | QIMONDA 奇梦达 | QIMONDA |
详细参数
- 型号：
HYB
- 制造商：
INFINEON
- 制造商全称：
Infineon Technologies AG
- 功能描述：
MEMORY SPECTRUM
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更新时间2026-10-28 15:00:00
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