HY27UF081G2M中文资料海力士数据手册PDF规格书

厂商型号	HY27UF081G2M
功能描述	1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory
文件大小	476.81 Kbytes
页面数量	48 页
生产厂商	Hynix Semiconductor
企业简称	HYNIX【海力士】
中文名称	海力士半导体官网
原厂标识
数据手册	下载地址一下载地址二到原厂下载
更新时间	2025-8-3 23:00:00
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HY27UF081G2M规格书详情

SUMMARY DESCRIPTION

The HYNIX HY27(U/S)F(08/16)1G2M series isa 128Mx8bit with spare 4Mx8 bit capacity. The device is offered in 1.8V Vcc Power Supply and in 3.3V Vcc Power Supply. Its NAND cell provides the most cost-effective solution for the solid state mass storage market The memory is divided into blocks that can be erased independently so it is possible to preserve valid data while old data is erased. The device contains 1024 blocks, composed by 64 pages consisting in two NAND structures of 32 series connected Flash cells.

产品属性

型号：
HY27UF081G2M
制造商：
HYNIX
制造商全称：
Hynix Semiconductor
功能描述：
1Gbit(128Mx8bit/64Mx16bit) NAND Flash Memory

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