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HY1908P中文资料后羿半导体数据手册PDF规格书

HY1908P
厂商型号

HY1908P

功能描述

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

丝印标识

HY1908P

封装外壳

TO-220FB-3L

文件大小

4.08583 Mbytes

页面数量

15

生产厂商 HOOYI SEMICONDUCTOR
企业简称

HOOYI后羿半导体

中文名称

西安后羿半导体科技有限公司

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-4 23:00:00

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HY1908P规格书详情

特性 Features

· 80V/90A,

RDS(ON)

= mW (typ.) @ VGS

=10V

· Avalanche Rated

· Reliable and Rugged

· Lead Free andGreenDevicesAvailable

(RoHS Compliant)

Applications

· Power Management for Inverter Systems.

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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