HY15P03S中文资料Single P MOSFET(-20V~ -100V)数据手册Huayi规格书
HY15P03S规格书详情
描述 Description
此器件为 P 沟道、-30V耐压、6.6mΩ内阻、SOP8L封装产品，芯片采用Trench工艺设计。该器件抗冲击能力强，适合较低开关频率应用，可满足负载开关、电池保护板等应用领域。
特性 Features
低内阻
符合RoHS标准
提升系统效率
领先的封装工艺
应用 Application
负载开关，DC-DC，电池保护板
技术参数
- 制造商编号
：HY15P03S
- 生产厂家
：Huayi
- ID@TC=25℃
：-15
- RDS(on) Max 10V(mΩ)
：8
- RDS(on) Max 4.5V(mΩ)
：10.5
- PD@TC=25℃ (W)
：3.1
- Vgs(±V)
：20
- Vth (V)
：-1~-3
- Ciss Typ(pF)
：4287
- Qg Typ(nC)
：90
- Configuration
：Single - P
- Package
：SOP8L
- Application
：电池保护板 / DC-DC / 负载开关
- 同类型号
：AO4409
- Status
：MP
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
HOOYI |
24+ |
NA/ |
50000 |
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PANASONIC(松下) |
24+ |
DIP,7.4x12mm |
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HUAYI/华羿微 |
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HUAYI(华羿微) |
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SOP-8_150mil |
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HOOYI |
23+ |
SOP-8 |
50000 |
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松下 |
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DIP |
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HUAYI/华羿微 |
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