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JCS13N50FT-R-F-N-B	文件：1.7733 Mbytes Page：8 Pages	N-CHANNELMOSFET	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC
JCS13N50WT	文件：730.96 Kbytes Page：8 Pages	N-CHANNELMOSFET	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC
JCS13N50WT-O-W-N-B	文件：730.96 Kbytes Page：8 Pages	N-CHANNELMOSFET	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC
KF13N50F	文件：81.72 Kbytes Page：7 Pages	NCHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.Itismainlysuitableforelectronicballastandswitchingmodepowersupplies. FEATURES •VDSS=500V,ID=13A •Dr	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KF13N50F	文件：905.27 Kbytes Page：7 Pages	NCHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KF13N50F	文件：402.48 Kbytes Page：7 Pages	NCHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.Itismainlysuitableforelectronicballastandswitchingmodepowersupplies. FEATURES •VDSS=500V,ID=13A •Dr	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
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KF13N50P	文件：81.72 Kbytes Page：7 Pages	NCHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.Itismainlysuitableforelectronicballastandswitchingmodepowersupplies. FEATURES •VDSS=500V,ID=13A •Dr	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KF13N50P	文件：402.48 Kbytes Page：7 Pages	NCHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.Itismainlysuitableforelectronicballastandswitchingmodepowersupplies. FEATURES •VDSS=500V,ID=13A •Dr	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KF13N50P	文件：1.0334 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET FEATURES •Reducedtrr,Qrr,andIRRM •Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg •Lowinputcapacitance(Ciss) •LowswitchinglossesduetoreducedQrr •Ultralowgatecharge(Qg) •Avalancheenergyrated(UIS)	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

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详细参数

型号：
HY13N50T
制造商：
HY
制造商全称：
HY ELECTRONIC CORP.
功能描述：
500V/13A N-Channel Enhancement Mode MOSFET

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市科恒伟业电子有限公司	HY1-3V	HONGFA	2018+	DIP-6	6528	科恒伟业!承若只做进口原装正品假一赔十!1581728776	询价
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更多HY13N50T供应商更新时间2025-7-25 15:59:00

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