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HY029N10W数据手册Huayi中文资料规格书

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厂商型号

HY029N10W

功能描述

N MOSFET

制造商

Huayi HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD.

中文名称

华羿微电 华羿微电子股份有限公司

数据手册

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更新时间

2025-8-6 23:00:00

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HY029N10W规格书详情

描述 Description

此器件为 100V、2.6mΩ、TO-247A-3L封装产品,采用SGT流片工艺,可满足如直流电动机等应用领域。

技术参数

  • 制造商编号

    :HY029N10W

  • 生产厂家

    :Huayi

  • ID@TC=25℃

    :280

  • RDS(on) Max 10V(mΩ)

    :3

  • RDS(on) Max 4.5V(mΩ)

    :N/A

  • PD@TC=25℃ (W)

    :405

  • Vgs(±V)

    :20

  • Vth (V)

    :2~4

  • Ciss Typ(pF)

    :10800

  • Qg Typ(nC)

    :150

  • Configuration

    :Single - N

  • Package

    :TO-247A-3L

  • Application

    :电机驱动 / 负载开关

  • Status

    :MP

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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