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CH374A	文件：811.14 Kbytes Page：14 Pages	32-BITEDGE-TRIGGEREDD-TYPEFLIP-FLOP	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
CH374S	文件：220.34 Kbytes Page：13 Pages	USBBusInterfaceChIp	WCHJiangsu Qinheng Co. , Ltd. 南京沁恒江苏沁恒股份有限公司	WCH
CH374T	文件：220.34 Kbytes Page：13 Pages	USBBusInterfaceChIp	WCHJiangsu Qinheng Co. , Ltd. 南京沁恒江苏沁恒股份有限公司	WCH
D374	文件：56.13 Kbytes Page：8 Pages	D374-TypeDigitalUncooled2.5Gbits/sLaserModule	agere 杰尔	agere
F-374P	文件：172.34 Kbytes Page：3 Pages	POWERTRANSFORMERPCMountDualPrimary	TRIAD TRIAD MAGNETICS	TRIAD
FCT374A	文件：198.67 Kbytes Page：15 Pages	8-BITREGISTERSWITH3-STATEOUTPUTS	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
FCT374C	文件：198.67 Kbytes Page：15 Pages	8-BITREGISTERSWITH3-STATEOUTPUTS	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
HC374	文件：1.38514 Mbytes Page：23 Pages	OCTALEDGE-TRIGGEREDD-TYPEFLIP-FLOPSWITH3-STATEOUTPUTS	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
HC374	文件：304.93 Kbytes Page：15 Pages	OCTALEDGE-TRIGGEREDD-TYPEFLIP-FLOPSWITH3-STATEOUTPUTS	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
HC374A	文件：196.35 Kbytes Page：8 Pages	Octal3-StateNon-InvertingDFlip-Flop Octal3-StateNon-InvertingDFlip-Flop High−PerformanceSilicon−GateCMOS TheMC74HC374AisidenticalinpinouttotheLS374.ThedeviceinputsarecompatiblewithstandardCMOSoutputs;withpullupresistors,theyarecompatiblewithLSTTLoutputs. Datameetingthesetuptimeisclock	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
HCS374D	文件：571.42 Kbytes Page：10 Pages	RadiationHardenedOctalD-TypeFlip-Flop,Three-State,PositiveEdgeTriggered Features •3MicronRadiationHardenedSOSCMOS •TotalDose200KRAD(Si) •SEPEffectiveLETNoUpsets:>100MEV-cm2/mg •SingleEventUpset(SEU)Immunity1x1012RAD(Si)/s •DoseRateUpset>1010RAD(Si)/s20nsPulse •Lat	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HCS374D	文件：175.06 Kbytes Page：10 Pages	RadiationHardenedOctalD-TypeFlip-Flop,Three-State,PositiveEdgeTriggered Description TheIntersilHCS374MSisaRadiationHardenednon-invertingoctalD-type,positiveedgetriggeredflip-flopwiththree-stateableoutputs.TheHCS374MSutilizesadvancedCMOS/SOStechnology.Theeightflip-flopsenterdataintotheirregistersontheLOW-to-HIGHtransitionoftheclock	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
HCS374D/SAMPLE	文件：550.98 Kbytes Page：10 Pages	RadiationHardenedOctalD-TypeFlip-Flop,Three-State,PositiveEdgeTriggered	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
HCS374DMSR	文件：550.98 Kbytes Page：10 Pages	RadiationHardenedOctalD-TypeFlip-Flop,Three-State,PositiveEdgeTriggered	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
HCS374DMSR	文件：175.06 Kbytes Page：10 Pages	RadiationHardenedOctalD-TypeFlip-Flop,Three-State,PositiveEdgeTriggered Description TheIntersilHCS374MSisaRadiationHardenednon-invertingoctalD-type,positiveedgetriggeredflip-flopwiththree-stateableoutputs.TheHCS374MSutilizesadvancedCMOS/SOStechnology.Theeightflip-flopsenterdataintotheirregistersontheLOW-to-HIGHtransitionoftheclock	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
HCS374DMSR	文件：571.42 Kbytes Page：10 Pages	RadiationHardenedOctalD-TypeFlip-Flop,Three-State,PositiveEdgeTriggered Features •3MicronRadiationHardenedSOSCMOS •TotalDose200KRAD(Si) •SEPEffectiveLETNoUpsets:>100MEV-cm2/mg •SingleEventUpset(SEU)Immunity1x1012RAD(Si)/s •DoseRateUpset>1010RAD(Si)/s20nsPulse •Lat	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HCS374HMSR	文件：571.42 Kbytes Page：10 Pages	RadiationHardenedOctalD-TypeFlip-Flop,Three-State,PositiveEdgeTriggered Features •3MicronRadiationHardenedSOSCMOS •TotalDose200KRAD(Si) •SEPEffectiveLETNoUpsets:>100MEV-cm2/mg •SingleEventUpset(SEU)Immunity1x1012RAD(Si)/s •DoseRateUpset>1010RAD(Si)/s20nsPulse •Lat	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HCS374HMSR	文件：175.06 Kbytes Page：10 Pages	RadiationHardenedOctalD-TypeFlip-Flop,Three-State,PositiveEdgeTriggered Description TheIntersilHCS374MSisaRadiationHardenednon-invertingoctalD-type,positiveedgetriggeredflip-flopwiththree-stateableoutputs.TheHCS374MSutilizesadvancedCMOS/SOStechnology.Theeightflip-flopsenterdataintotheirregistersontheLOW-to-HIGHtransitionoftheclock	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
HCS374HMSR	文件：550.98 Kbytes Page：10 Pages	RadiationHardenedOctalD-TypeFlip-Flop,Three-State,PositiveEdgeTriggered	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
HCS374K	文件：175.06 Kbytes Page：10 Pages	RadiationHardenedOctalD-TypeFlip-Flop,Three-State,PositiveEdgeTriggered Description TheIntersilHCS374MSisaRadiationHardenednon-invertingoctalD-type,positiveedgetriggeredflip-flopwiththree-stateableoutputs.TheHCS374MSutilizesadvancedCMOS/SOStechnology.Theeightflip-flopsenterdataintotheirregistersontheLOW-to-HIGHtransitionoftheclock	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil

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详细参数

型号：
HVD374B
制造商：
RENESAS
制造商全称：
Renesas Technology Corp
功能描述：
Variable Capacitance Diode for VCO

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市莱克讯科技有限公司	HVD376BKRF-E	RENESAS	2017+	SOD-723	48520	深圳代理原装现货进口库存(香港-日本-台湾)开17点增票	询价
深圳市特顺芯科技有限公司	HVD376BKRF-E	RENESAS	07+PBFREE	SOD	8000		询价
深圳市百视威讯电子科技有限公司	HVD376BKRF-E		23+	N/A	36100	正品授权货源可靠	询价
上海市鑫鸿达电子	HVD376BKRF-E	RENESAS/瑞萨	2022+		6000	全新原装货期两周	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	HVD376BKRF-E	RENESAS	21+	SOD-723	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
京海半导体(深圳)有限公司	HVD376BKRF-E	RENESAS/瑞萨	21+	SOD-723	10000	原装现货假一罚十	询价
深圳市环球伟业电子有限公司	HVD376BKRF-E	RENESAS/Renesas Electronics Am	21+	SOD-723	4000	优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票	询价
深圳市威雅利发展有限公司	HVD376BKRF-E	RENESAS	08+	SOD-723	4000	一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力	询价
深圳市赛美科科技有限公司	HVD376BKRF-E	RENESAS		PBFREE	8560	一级代理原装正品假一罚十价格优势长期供货	询价
深圳市德创芯微科技有限公司	HVD376BKRF-E	RENESAS	08+	SOD-723	4000	全新原装,支持实单,假一罚十,德创芯微	询价

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