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IRFD9110PBF	文件：1.79065 Mbytes Page：8 Pages	HEXFETPOWERMOSFET(VDSS=-100V,RDS(on)=1.2廓,ID=-0.70A)	IRF International Rectifier	IRF
IRFD9110PBF	文件：1.52087 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. The4pinDIPpackageisalowcostmachine-insertablecasestylewhichcanbestackedinmultiplecombinat	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFD9110PBF	文件：825.31 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFE9110	文件：124.1 Kbytes Page：7 Pages	REPETITIVEAVALANCHEANDdv/dtRATEDHEXFETTRANSISTORSSURFACEMOUNT(LCC-18) REPETITIVEAVALANCHEANDdv/dtRATED HEXFETTRANSISTORSSURFACEMOUNT(LCC-18) Theleadlesschipcarrier(LCC)packagerepresentsthelogicalnextstepinthecontinualevolutionofsurfacemounttechnology.DesingedtobeaclosereplacementfortheTO-39package,theLCCwillgivedesignersth	IRF International Rectifier	IRF
IRFE9110	文件：124.1 Kbytes Page：7 Pages	REPETITIVEAVALANCHEANDdv/dtRATEDHEXFETTRANSISTORSSURFACEMOUNT(LCC-18)	IRF International Rectifier	IRF
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IRFE9110	文件：125.22 Kbytes Page：7 Pages	SimpleDriveRequirements	IRF International Rectifier	IRF
IRFF9110	文件：143.61 Kbytes Page：7 Pages	HEXFETTRANSISTORSTHRU-HOLE(TO-205AF) TheHEXFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometryanduniqueprocessingofthislatest“StateoftheArt”designachieves:verylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance. TheHEXFETtransistorsalso	IRF International Rectifier	IRF
IRFF9110	文件：16.67 Kbytes Page：1 Pages	P-ChannelMOSFETinaHermeticallysealedTO39	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRFF9110	文件：136.14 Kbytes Page：7 Pages	SimpleDriveRequirements	IRF International Rectifier	IRF

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详细参数

型号：
HV9110PJ
功能描述：
开关变换器、稳压器与控制器 PLCC-20 CUR MODE PWM
RoHS：
否
制造商：
Texas Instruments
输出电压：
1.2 V to 10 V
输出电流：
300 mA
输入电压：
3 V to 17 V
开关频率：
1 MHz
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
WSON-8
封装：
Reel

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