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STD4530NLS	文件：944.95 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ●SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON). ●Ruggedandreliable. ●TO-252andTO-251Package.	SamhopSamHop Microelectronics Corp. 三合微科三合微科股份有限公司	Samhop
STU4530NL	文件：770.44 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ●SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON). ●Ruggedandreliable. ●TO251andTO252Package.	SamhopSamHop Microelectronics Corp. 三合微科三合微科股份有限公司	Samhop
STU4530NLS	文件：944.95 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ●SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON). ●Ruggedandreliable. ●TO-252andTO-251Package.	SamhopSamHop Microelectronics Corp. 三合微科三合微科股份有限公司	Samhop
SZ4530	文件：28.81 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTSILICONZENERDIODES VZ:2.7-200Volts PD:2Watts FEATURES: CompleteVoltageRange2.7to200Volts Highpeakreversepowerdissipation Highreliability Lowleakagecurrent *Pb/RoHSFree	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
SZ4530	文件：327.18 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTSILICONZENERDIODES Features CompleteVoltageRange3.6to200Volts Highpeakreversepowerdissipation Highreliability Lowleakagecurrent	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司	SUNMATE
SZ4530	文件：44.22 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTSILICONZENERDIODES VZ:2.7-200Volts PD:2Watts FEATURES: CompleteVoltageRange2.7to200Volts Highpeakreversepowerdissipation Highreliability Lowleakagecurrent *Pb/RoHSFree	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
SZ4530	文件：73.42 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTSILICONZENERDIODES VZ:3.6-200Volts PD:2Watts FEATURES: CompleteVoltageRange3.6to200Volts Highpeakreversepowerdissipation Highreliability Lowleakagecurrent	SHUNYEShanghai Shunye Electronics Co.,Ltd. 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司	SHUNYE
SZ4530	文件：76.6 Kbytes Page：2 Pages	ZENERDIODES FEATURES: CompleteVoltageRange2.7to200Volts Highpeakreversepowerdissipation Highreliability Lowleakagecurrent *Pb/RoHSFree	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
SZ4530	文件：338.12 Kbytes Page：3 Pages	SURFACEMOUNTZENERDIODES FEATURES: CompleteVoltageRange3.6to200Volts Highpeakreversepowerdissipation Highreliability Lowleakagecurrent	SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd. 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司	SY
TGA4530	文件：275.87 Kbytes Page：12 Pages	KBandHighLinearityPowerAmplifier ProductDescription TheTriQuintTGA4530isaHighPowerAmplifierMMICfor17–21GHzapplications.ThepartisdesignedusingTriQuint’s0.25um3MIpHEMTproductionprocess. KeyFeatures •FrequencyRange:17-21GHz •20dBGain •30dBmnominalP1dB •42dBmnominalOTOI •20dB	TriQuint TriQuint Semiconductor	TriQuint

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多HV4530X供应商更新时间2025-7-24 15:14:00

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