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IRFP264	文件：47.02 Kbytes Page：2 Pages	StandardPowerMOSFET-N-ChannelEnhancementMode N-ChannelEnhancementMode StandardPowerMOSFET Features •Internationalstandardpackage JEDECTO-247AD •LowRDS(on)HDMOSTMprocess •Ruggedpolysilicongatecellstructure •Highcommutatingdv/dtrating •Fastswitchingtimes Applications •Switch-modeandresonant-mode po	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IRFP264	文件：168.34 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET(Vdss=250V,Rds(on)=0.075ohm,Id=38A) Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. ●Dynamicdv/dtRating ●RepetitiveAvalancheRated ●IsolatedCentralMountingHole ●FastS	IRF International Rectifier	IRF
IRFP264	文件：1.56832 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. FEATURES •DynamicdV/dtRating •RepetitiveAvalancheRated •IsolatedCentralMountingHole •FastSw	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFP264	文件：443.82 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFP264	文件：1.57849 Mbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFP264	文件：848.45 Kbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET FEATURES •DynamicdV/dtRating •RepetitiveAvalancheRated •IsolatedCentralMountingHole •FastSwitching •EaseofParalleling •SimpleDriveRequirements •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Thisdatasheetprovidesinf	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFP264N	文件：222.56 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=250V,Rds(on)=60mohm,Id=44A) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRFP264N	文件：151.28 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION FifthgenerationPowerMOSFETsfromVishayutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatPowerMOSFETsarewellknowfor,providesthedesignerwit	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFP264NPBF	文件：148.62 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRFP264NPBF	文件：151.28 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION FifthgenerationPowerMOSFETsfromVishayutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatPowerMOSFETsarewellknowfor,providesthedesignerwit	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

详细参数

型号：
HV264TS-G
功能描述：
运算放大器 - 运放 Quad High Voltage Amplifier Array IC
RoHS：
否
制造商：
Supertex
通道数量：
4
输入偏流（最大值）：
50 nA
工作电源电压：
5 V
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
TSSOP-24
转换速度：
9 V/us
关闭：
No
最大工作温度：
+ 85 C
封装：
Reel

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更多HV264TS-G供应商更新时间2025-5-28 11:31:00

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