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HUM2010数据手册分立半导体产品的二极管-射频规格书PDF

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厂商型号

HUM2010

参数属性

HUM2010 封装/外壳为SQ-MELF;包装为托盘;类别为分立半导体产品的二极管-射频;产品描述:SI PPIN HERMETIC MELF

功能描述

HF-UHF Medium & High Power PIN Diodes
SI PPIN HERMETIC MELF

封装外壳

SQ-MELF

制造商

Microchip Microchip Technology

中文名称

微芯科技 微芯科技股份有限公司

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-6 14:54:00

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HUM2010规格书详情

描述 Description

With high isolation low loss and low distortion characteristics this Microsemi Power PIN diode is perfect for the high power switching applications where size and power handling capability are critical. Its advantages also include the low forward bias resistance and high zero bias impedance that are essential for low loss high isolation and wide bandwidth performance.

简介

HUM2010属于分立半导体产品的二极管-射频。由制造生产的HUM2010二极管 - 射频射频二极管是一种双端子半导体器件,只允许一个方向通过电流,而限制反方向的电流。该系列器件用于射频匹配电路以进行电子调谐。二极管类型包括 PIN 型、肖特基型和标准型,反向电压范围为 1 至 15,000 V,电流范围为 10 mA 至 20A。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    HUM2010SM

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 射频

  • 包装:

    托盘

  • 二极管类型:

    PIN - 单

  • 电压 - 峰值反向(最大值):

    1000V

  • 不同 Vr、F 时电容:

    4pF @ 100V,1MHz

  • 不同 If、F 时电阻:

    200 毫欧 @ 500mA,4MHz

  • 工作温度:

    -65°C ~ 175°C

  • 封装/外壳:

    SQ-MELF

  • 描述:

    SI PPIN HERMETIC MELF

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