首页>HUFA75639S3S>规格书详情
HUFA75639S3S中文资料100 V、56 A、21 mΩ、D2PAKN 沟道 UltraFET®数据手册ONSEMI规格书
HUFA75639S3S规格书详情
描述 Description
These N-Channel power MOSFETs are manufactured using the innovative UltraFET® process. This advanced process technology achieves the lowest possible on-resistance per silicon area, resulting in outstanding performance. This device is capable of withstanding high energy in the avalanche mode and the diode exhibits very low reverse recovery time and stored charge. It was designed for use in applications where power efficiency is important, such as switching regulators, switching converters, motor drivers, relay drivers, low-voltage bus switches, and power management in portable and battery-operated products.
特性 Features
•56 A、100 V
•峰值电流与脉宽曲线
•UIS 额定值曲线
•相关文献
应用 Application
• 信息娱乐
• 便携导航
• 其他
• 传动系
• 安全和控制
• 舒适与便捷
• 人体电子
• 车辆安全系统
• 其他车用
技术参数
- 制造商编号
：HUFA75639S3S
- 生产厂家
：ONSEMI
- Compliance
：AEC QualifiedPPAP CapablePb-free
- Status
： Active
- Description
： N-Channel UltraFET Power MOSFET 100V
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：100
- VGS Max (V)
：±20
- VGS(th) Max (V)
：4
- ID Max (A)
：56
- PD Max (W)
：200
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：25
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：57
- Ciss Typ (pF)
：2000
- Package Type
：D2PAK-3 / TO-263-2
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
21+ |
TO263 |
1062 |
只做原装正品,不止网上数量,欢迎电话微信查询! |
询价 | ||
ON/安森美 |
22+ |
TO-263 |
18000 |
原装正品 |
询价 | ||
ONSemiconductor |
24+ |
NA |
3000 |
进口原装正品优势供应 |
询价 | ||
ON/安森美 |
2450+ |
TO-263 |
9850 |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
询价 | ||
VBsemi |
21+ |
TO263 |
10026 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
ON/安森美 |
21+ |
TO-263 |
252 |
原装现货假一赔十 |
询价 | ||
NK/南科功率 |
2025+ |
TO-263-2 |
986966 |
国产 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO-2632L(D2PAK) |
60000 |
询价 | |||
FAIRCHIL |
24+ |
TO-263 |
90000 |
一级代理商进口原装现货、价格合理 |
询价 | ||
FAIRC |
2023+ |
TO-263(D2PAK |
50000 |
原装现货 |
询价 |
