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HTNFET-T中文资料场效应管(MOSFET)数据手册Honeywell规格书

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厂商型号

HTNFET-T

功能描述

场效应管(MOSFET)

制造商

Honeywell Honeywell Solid State Electronics Center

中文名称

霍尼韦尔 霍尼韦尔国际

数据手册

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更新时间

2025-12-13 23:01:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :HTNFET-T

  • 生产厂家

    :Honeywell

  • 漏源电压(Vdss)

    :55V

  • 连续漏极电流(Id)

    :-

  • 功率(Pd)

    :50W

  • 阈值电压(Vgs(th)@Id)

    :2.4V@100uA

  • 栅极电荷(Qg@Vgs)

    :4.3nC@5V

  • 输入电容(Ciss@Vds)

    :290pF@28V

  • 工作温度

    :-55℃~+225℃@(Tj)

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