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HTEB20120F	文件：189.43 Kbytes Page：3 Pages	Power Choke Coil HTEB20120F MDR type	CYNTECCYNTEC co ltd Cyntec信泰	CYNTEC
HTEB20120F-000	文件：189.43 Kbytes Page：3 Pages	Power Choke Coil HTEB20120F MDR type	CYNTECCYNTEC co ltd Cyntec信泰	CYNTEC
HTEB20120F-1R0MDR	文件：189.43 Kbytes Page：3 Pages	Power Choke Coil HTEB20120F MDR type	CYNTECCYNTEC co ltd Cyntec信泰	CYNTEC
AOK20120XSD	文件：884.99 Kbytes Page：6 Pages	1200VαSiCSiliconCarbideSchottkyBarrierDiode Features •ProprietaryαSiCSchottkyBarrierDiodetechnology •Negligiblereverserecoverycurrent •Maximumoperatingjunctiontemperatureof175°C •Improvedswitchinglossesvs.Sibipolardiodes •Positivetemperaturecoefficientforeaseofparalleling Applications RenewableIndustr	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
CBD20120LCT	文件：52.63 Kbytes Page：2 Pages	LOWVFSCHOTTKYRECTIFIER	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
CBD20120UFCT	文件：71.1 Kbytes Page：4 Pages	LOWVFSCHOTTKYRECTIFIER	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
CBD20120VCT	文件：98.01 Kbytes Page：4 Pages	Ultralowforwardvoltagedrop,lowpowerloss	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
CBD20120VDC	文件：67.95 Kbytes Page：4 Pages	Ultralowforwardvoltagedrop,lowpowerloss	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
CBD20120VFCT	文件：87.17 Kbytes Page：4 Pages	Ultralowforwardvoltagedrop,lowpowerloss	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
CDBHA20120-HF	文件：475.86 Kbytes Page：4 Pages	SMDSchottkyBarrierRectifiers Features -Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction. -Highsurgecapability. -Hightemperaturesolderingguaranteed: 260°C/10seconds. -Highcurrentcapability,lowforwardvoltagedrop.	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
CDBKA20120L-HF	文件：486.97 Kbytes Page：3 Pages	LowVFSchottkyRectifiers Features -Excellenthightemperaturestability. -Soft,fastswitchingcapability. -Patentedsuperbarrierrectifiertechnology. -Ultralowforwardvoltagedrop.	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
CMF20120D	文件：2.3448 Mbytes Page：13 Pages	SiliconCarbidePowerMOSFET Z-REC™RECTIFIERSandZERO-RECOVERY®RECTIFIERS SILICONCARBIDEZ-FET™MOSFET	CreeCree Inc. 科锐科锐半导体制造商	Cree
CS20120B	文件：340.44 Kbytes Page：4 Pages	CURRENTSENSOR	CUI CUI Inc.	CUI
CSD20120	文件：358.49 Kbytes Page：5 Pages	RECTIFIER	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
CSD20120D	文件：358.49 Kbytes Page：5 Pages	RECTIFIER	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
DSTF20120C	文件：700.23 Kbytes Page：3 Pages	Highfrequencyoperation	LittelfuseLittelfuse Inc. 力特富斯（Littelfuse）力特公司	Littelfuse
DSTF20120CR	文件：690.4 Kbytes Page：3 Pages	Highfrequencyoperation	LittelfuseLittelfuse Inc. 力特富斯（Littelfuse）力特公司	Littelfuse
FFSB20120A	文件：185.3 Kbytes Page：7 Pages	SiliconCarbideSchottkyDiode	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FFSH20120A	文件：332.85 Kbytes Page：6 Pages	SiliconCarbide(SiC)SchottkyDiode–EliteSiC,20A,1200V,D1,TO-247-2L Description SiliconCarbide(SiC)SchottkyDiodesuseacompletelynew technologythatprovidessuperiorswitchingperformanceandhigher reliabilitycomparedtoSilicon.Noreverserecoverycurrent, temperatureindependentswitchingcharacteristics,andexcellent thermalperformancesetsSil	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FFSH20120A	文件：683.57 Kbytes Page：7 Pages	SiliconCarbideSchottkyDiode	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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更多HTEB20120F供应商更新时间2024-6-15 11:36:00

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