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IRF121	文件：68.22 Kbytes Page：7 Pages	8.0Aand9.2A,80Vand100V,0.27and0.36Ohm,N-Channel,PowerMOSFETs Description TheseareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistors.TheyareadvancedpowerMOSFETsdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforapplica	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IRF121	文件：213.26 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFETS FEATURES •LowRDs	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung

更多HT-121UYG供应商更新时间2025-7-26 16:19:00