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HS8K11	文件：3.97783 Mbytes Page：19 Pages	30V NchNch Power MOSFET 文件：3.97783 Mbytes 页数：19 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
HS8023-12	文件：300 bytes Page：1 Pages	射频功放前端芯片 The HS8023-12 is a Quad Band CMOS GSM/GPRS Transmit Module with two RX ports, also with a hybrid, multi-band multi-chip RF front-end (RFFE) module supporting cellular LTE Cat NB1 (half-duplex system) transceiver platforms. This front end module integrates high performance CMOS PAs with controller, a GSM/GPRS Part: \n• 34.0dBmat GSM850/EGSM900\n• 31.2dBm at DCS1800/PCS1900\n• GSM850 44% PAE\n• EGSM900 44% PAE\n• DCS180034% PAE\n• PCS1900 34% PAE\n• No External Harmonics Filtering\n• Complete Power Control Solution\nNB_IOT Part:\n► Broadband PA supporting APT mode of operation or ;	OnMicro 昂瑞微	OnMicro
HS80N08	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET	HOMSSEMI 成启	HOMSSEMI
HS80T10Q	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOS管	HCWSEMI 恒成微	HCWSEMI
HS8.1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装类别：继电器配件描述：HEATSINK SSR 2.0 DEG C/W PNL MT	Sensata-Crydom	Sensata-Crydom
HS8.2	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装类别：继电器配件描述：HEATSINK SSR 45MM 2.2DEG C/W DIN	Sensata-Crydom	Sensata-Crydom
HS8.2	文件：100 bytes Page：1 Pages	类别：继电器配件描述：HEATSINK SSR 45MM 2.2DEG C/W DIN	Sensata-Crydom	Sensata-Crydom

技术参数

封装：
HSML3333L9 (Drain Common Dual)
包装数量：
1000
最小独立包装数量：
1000
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Package Code：
DFN3333-9DC
Number of terminal：
9
Polarity：
Pch+Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
30
Drain Current ID[A]：
7
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)：
0.04
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)：
0.025
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
0.04
Total gate charge Qg[nC]：
4.7
Power Dissipation (PD)[W]：
4
Drive Voltage[V]：
4.5
Mounting Style：
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150
Package Size [mm]：
3.3x3.3 (t=0.8)

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更多HS8供应商更新时间2025-12-24 12:00:00

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