HS26P10数据手册H-SUN中文资料规格书

描述 Description

HS26P10是采用低耗高速CMOS工艺制造的8位单片机，它内部包含一个2K*16-bit的一次性可编程只读电存储器(OTP-ROM)。

特性 Features

◆ 除了跳转指令2个指令周期外，其他指令都是一个指令周期
◆ 2K*16位片内ROM
◆ 可直接、间接寻址
◆ 3个8位定时器：
TC0：外部事件计数器/PWM0/ Buzzer输出。
TC1：外部事件计数器/PWM1/ Buzzer输出。
TC2：外部事件计数器/PWM2/ Buzzer输出
◆ 内置上电复位，掉电复位
◆ 内置上电复位时间PWRT和振荡器起振时间OSCT
◆ 内置可预分频WDT
◆ 四种振荡模式 内置高速振荡器16MHz
内置低速振荡器32K
外置高速晶体振荡器4MHz~16MHz
外置低速晶体振荡器32.768KHz
◆ 一个安全位（代码寄存器中）保护程序不被读出
◆ 128*8 bit SRAM
◆ 3组标准双向I/O端口
◆ 8级用于子程序嵌套的堆栈
◆ 6种可用中断
4个内部中断：TC0、TC1、TC2、ADC
◆ 2个外部中断：INT0，INT1
◆ ADC
5个外部ADC输入
1个内部电池检测
内部AD参考电压（VDD、4V、3V、2V）