丝印：TBD；Package：QFN；HYBRID SWITCH WITH NEGATIVE SIGNAL HANDLING

Features • +1.7 V to +1.95 V single-supply operation • Low distortion negative signal handling capability with Ron typically 3Ω for Audio signal • Control pin to open all switches and enter low power state • Cross-talk audio channels (20 Hz to 20 kHz): -110dB • -3dB bandwidth USB switches: 7

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RENESAS

瑞萨

丝印：TBD；Package：QFN；HYBRID SWITCH WITH NEGATIVE SIGNAL HANDLING

Features • +1.7 V to +1.95 V single-supply operation • Low distortion negative signal handling capability with Ron typically 3Ω for Audio signal • Control pin to open all switches and enter low power state • Cross-talk audio channels (20 Hz to 20 kHz): -110dB • -3dB bandwidth USB switches: 7

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RENESAS

瑞萨

HYBRID SWITCH WITH NEGATIVE SIGNAL HANDLING

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IDT

HYBRID SWITCH WITH NEGATIVE SIGNAL HANDLING

文件：204.73 Kbytes 页数：10 Pages

IDT

HS2330C

文件：216.06 Kbytes 页数：7 Pages

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

GPIO OTP

HS2300-PE系列是一款低功耗，高速，高噪声容限，EPROM/ROM基于8位CMOS工艺制造的单片机，采用RISC指令集，共有42条指令，除分支指令为两个周期指令以外其余为单周期指令。这种易用、易记的指令集大大缩短了开发时间。HS2300-PE系列包含了上电复位(Power-on Reset  POR)，掉电复位(Brown-out Reset BOR)，上电复位计数器（Power-up Reset Timer  PWRT），振荡启动计数器 (Oscillator Start-up Timer OST)，看门狗定时器(Watchdog Timer)，EPROM/ROM，SRAM， EEPR ◆ 42条RISC指令，除了程序分支指令是两个周期，所有的指令都是单周期\n◆ 13位宽指令，8位宽数据路径，5级深度硬件堆栈\n◆ 支持GOTO指令全ROM跳转，支持全ROM子程序调用\n◆ 1K×13位程序存储器\n◆ 65× 8位通用寄存器\n◆ 256×8位EEPROM\n◆ 运行速度：DC - 20 MHz的时钟输入；DC - 100 ns指令周期\n◆ 直接、间接寻址方式\n◆ 拥有8位可编程预分频器的8位实时时钟/计数器（定时器0）\n◆ 内部上电复位电路（POR）、内置低电压检测（LVD）用于欠压复位（BOR）\n◆ 上电复位定时器（PWRT）和振荡器启动定时器（OST）\n◆;

H-SUN

华芯微电子

0.5 ~ 2K Nomal IC (普通红外型电路)

HS2303-P是采用低耗高速CMOS工艺制造的8位单片机，它内部包含一个1K*14-bit的一次性可编程只读电存储器(OTP-ROM)。有14位选项位可满足用户要求，其中的保护位可用来防止程序被读出，由于有OTP-ROM，HS2303-P提供给用户一个方便的开发和检验他们的程序的环境。可用自制编译器进行转换。 ◆ 宽工作电压范围：2.0V~3.6V\n◆ 工作温度范围：0℃~70℃\n◆ 工作频率范围：内置RC 4MHz±2%\n◆ 低功耗：在休眠模式时为1uA\n◆ 1K*14位片内ROM\n◆ 一个安全位（代码寄存器中）保护程序不被读出\n◆ 40*8bits片内寄存器组（SRAM，一般寄存器）\n◆ 2组双向标准I/O端口\n◆ 3级用于子程序嵌套的堆栈\n◆ 节能模式（SLEEP模式）\n◆ 每个指令周期为两个时钟周期，99.9%的指令为单周期指令\n◆ T-MODE型模式时，最多可形成52 (8*7/2+8+8+8)个按键\n◆ M-MODE型时，最多可形成20(4*4+4;

H-SUN

华芯微电子

315/433 Encode + Transmit MCU (315/433编码+射频发射MCU)

HS2303-PT是一款低成本、高速度、高抗干扰，带射频传输的8位CMOS制造的单片机。工作 电压在2.0~3.6V之间，电池供电时，能保证绝大多数电池在电量完全耗尽前仍能正常使用；正常工 作温度范围在-20℃~70℃之间。芯片基于RISC架构，仅有35条指令。除程序跳转需要两个周期外，其余所有的指令都是单周 期指令。内部集成有1K*13-bit的一次性可编程只读电存储器(OTP-ROM)、上电复（POR）、欠压 复位（BOR）、看门狗定时器、SRAM等电路，具有睡眠模式、工作模式等。 芯片应用带宽在300M~450MHz之间，在传输功率、工作电压和工作温度方面有着显著的优点。 当外接50Ω负 单片机特征\n◆ 可编写任意码型\n◆ 工作电压范围：2.0V~3.6V\n◆ 1K*13位片内ROM\n◆ 内置RC4MHz±2%\n◆ 最多可构成21个按键\n\n射频特征\n◆ 完整的超高频传输\n◆ 频率范围300MHz到450MHz\n◆ 比特率最高达10kbps\n◆ 输出功率最高达13dBm\n◆ ASK/OOK调制\n◆ 极少的外围器件\n◆ 符合ETSI_EN_300_220-1_V2.3.1标准\n◆ 符合FCC认证标准\n◆ 石英或陶瓷振荡器\n◆ SOP16封装;

H-SUN

华芯微电子

Package：3-SMD，鸥翼；包装：散装 类别：电容器 双电层电容器（EDLC），超级电容器 描述：CAP 1200MF 5.5V -40-+85C

CAP-XX Ltd Supercapacitors

包装：散装 类别：分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 描述：NPN TRANSISTOR

Microchip

微芯科技